Vishay / Siliconix MOSFET 100 V à canal N SiS890ADN
Le MOSFET 100 V à canal N SiS890ADN Vishay/Siliconix offre une tension drain-sourceCC de 100 V, un courant de drain pulsé de 40 A et une configuration simple. Le MOSFET SiS890ADN dispose d'une faible RDS x Qg figure de mérite (FOM) avec une puissance TrenchFET® GEn IV. Ce MOSFET est testé 100 % Rg et UIS. Le MOSFET 100 V à canal N SiS890ADN de Vishay est idéal pour le redressement synchrone, les commutateurs côté primaire, les convertisseurs CC-CC et la protection de circuit.
Caractéristiques
- TrenchFET Gen IV de puissance MOSFET
- Facteur de mérite (FOM) faible RDS x Qg
- Réglé pour le FOM RDS x Qoss le plus faible
- 100 % testé à Rg et UIS
- Conforme à la directive RoHS
- Sans halogène
Applications
- Rectification synchrone
- Commutateur côté primaire
- Convertisseurs CC-CC
- Commutateurs d'entraînement moteur
- Protection de circuits
- Commutateurs de charge
Dimensions
MOSFET associés
Vishay / Siliconix Power MOSFETs
Low-to-high power MOSFETs that meet the increasing demands of applications in growth markets.
Publié le: 2020-11-19
| Mis à jour le: 2024-12-16