Vishay / Siliconix SiZ340BDT Double MOSFET 30 V à canal N
Le MOSFET 30 V à double canal N SiZ340BDT Vishay/Siliconix dispose d'une conception à double configuration avec alimentation TrenchFET® Gen IV. Le module offre une tension drain-source de 30 VDS et un courant de drain pulsé de 150 A dans une plage de température de -55°C à +150°C. Le MOSFET 30 V à double canal N SiZ340BDT Vishay/Siliconix est SANS halogène et conforme à la directive RoHS. Les applications standard sont la puissance de cœur CPU, les convertisseurs buck synchrones, les télécoms CC/CC et les ordinateurs.
Caractéristiques
- TrenchFET Gen IV de puissance MOSFETs
- 100 % testé à Rg et UIS
- Étage de puissance MOSFET demi-pont intégré PowerPAIR®
- Le rapport Qgd/Qgs optimisé améliore les caractéristiques de commutation
- Conforme à la directive RoHS
- Sans halogène
Applications
- Alimentation de cœur CPU
- Périphériques d'ordinateur/serveur
- Point de charge (PoL)
- Convertisseurs Buck synchrones
- Télécommunications CC/CC
Dimensions
MOSFET associés
Vishay / Siliconix Power MOSFETs
Low-to-high power MOSFETs that meet the increasing demands of applications in growth markets.
Publié le: 2020-11-19
| Mis à jour le: 2024-12-17