Vishay / Siliconix MOSFET N voies double automatique SQ4946CEY
Le MOSFET N voies double automatique SQ4946CEY Vishay/Siliconix offre une tension drain-sourcede 60 V DS, une fuite grille-source de ±100 nA et une capacité d'entrée maximale de 865 pF. Ce MOSFET dispose d'une alimentation TrenchFET® et est idéal pour les applications automobiles. Le MOSFET N voies double automatique SQ4946CEY Vishay/Siliconix est homologué AEC-Q101, testé 100 % Rg et UIS, conforme à la directive RoHS et sans halogène.
Caractéristiques
- Alimentation TrenchFET
- 100 % testé à Rg et UIS
- Qualifié AEC-Q101
- Conforme à la directive RoHS
- Sans halogène
- Configuration double
Caractéristiques techniques
- Tension drain-source 60 VDS
- Énergie d'avalanche à simple impulsion 16,2 ma
- Dissipation de puissance maximale 4 W
- Courant source continu de 3,6 A
- Tension grille-source ±100 nA
- Courant de drain 20 A sur site
- Capacité d'entrée maximale de 865 pF
- Plage de température de fonctionnement : de -55°C à +175°C
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Publié le: 2020-11-19
| Mis à jour le: 2024-12-17