Wolfspeed MOSFET de puissance SiC 1 200 V à profil mince TO-247-4
Les MOSFET de puissance au carbure de silicium (SiC) 1 200 V à profil mince TO-247-4 de Wolfspeed intègrent une commutation haute vitesse à faibles capacités et une tension de blocage élevée à faible résistance à l’état passant Ces MOSFET de puissance réduisent les pertes de commutation et les exigences de refroidissement et minimisent les résonances de grille. Les MOSFET de puissance au SiC et de 1 200 V intègrent une diode intrinsèque rapide à faible récupération inverse (Qrr). Ces MOSFET de puissance augmentent la densité de puissance et la fréquence de commutation du système. Les MOSFET de puissance au SiC et de 1 200 V sont fournis en boîtiers optimisés avec des broches sources séparées de pilotes et sont disponibles en boîtier TO-247-4 à profil mince. Ces MOSFET de puissance sont sans halogène et conformes à la directive RoHS. Les applications standard incluent la commande de moteur, les chargeurs de batterie EV, les convertisseurs CC-CC haute tension, les systèmes solaires/ESS, les onduleurs et les PSU d’entreprise.Caractéristiques
- Haute tension de blocage et faible résistance à l'état passant
- Commutation ultra-rapide avec faibles capacités
- Diode intrinsèque rapide à faible récupération inverse (Qrr)
- Réduire les pertes de commutation et minimiser la résonnance de grille
- Une plus grande efficacité du système
- Réduire les exigences de refroidissement
- Réduction des contraintes de refroidissement
- Augmenter la densité de puissance
- Augmenter la fréquence de commutation du système
- Boîtier optimisé avec broche de source de pilote séparée
- Corps de boîtier TO-247-4 à profil plus mince
- Sans halogène
- Conforme à la directive RoHS
Applications
- Contrôle de moteur
- Chargeurs de batteries de véhicules électriques
- Convertisseurs CC/CC haute tension
- Solaire/ESS
- Onduleurs (ASI)
- PSU d'entreprise
Schéma de principe
Fiches techniques
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| Numéro de pièce | Fiche technique | Id - Courant continu de fuite | Rds On - Résistance drain-source | Qg - Charge de grille | Pd - Dissipation d’énergie | Temps de descente | Temps de montée | Délai de désactivation type | Délai d'activation standard | Style de montage |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| C3M0021120K1 | ![]() |
100 A | 35 mOhms | 177 nC | 405 W | 13 ns | 39 ns | 54 ns | 17 ns | Through Hole |
| C3M0032120K1 | ![]() |
69 A | 55 mOhms | 118 nC | 278 W | 8 ns | 19 ns | 24 ns | 16 ns | Through Hole |
| C3M0040120K1 | ![]() |
66 A | 70 mOhms | 94 nC | 242 W | 8 ns | 16 ns | 23 ns | 13 ns | Through Hole |
| C3M0075120K1 | ![]() |
32 A | 135 mOhms | 53 nC | 145 W | 11 ns | 22 ns | 29 ns | 8 ns | Through Hole |
| C3M0160120K1 | ![]() |
17.9 A | 280 mOhms | 32 nC | 103 W | 12 ns | 9 ns | 13 ns | 8 ns | Through Hole |
| C3M0016120K1 | ![]() |
115 A | 29 mOhms | 223 nC | 556 W | 13 ns | 40 ns | 62 ns | 19 ns | Through Hole |
Publié le: 2024-06-20
| Mis à jour le: 2024-10-04

