Wolfspeed MOSFET en carbure de silicium 1 700 V

Les MOSFET en carbure de silicium 1 700 V de Wolfspeed offrent une commutation plus élevée, une efficacité du système et une densité de puissance pour la conversion d'énergie de nouvelle génération. La technologie Carbure de silicium Wolfspeed permet des conceptions plus petites, des composants plus froids, une taille de composants réduite (inducteurs, condensateurs, filtres et transformateurs) et des avantages globaux en termes de coûts. Les MOSFET SiC Wolfspeed 1 700 V alimentent plusieurs dispositifs 12 V à 48 V avec des conditions de refroidissement réduites.

Caractéristiques

  • Commutation ultra-rapide avec faibles capacités
  • Grande distance de fuite et de dégagement entre le drain et la source
  • Tension d'extinction de 0 V lorsqu'il est utilisé dans des applications flyback
  • Tension de commande de la grille de 12 V à 15 V

Applications

  • Alimentations auxiliaires
  • Sources d’alimentation en mode commutation
  • Onduleurs de puissance
  • Systèmes basés sur 1 500 V
  • Convertisseurs CC-CC haute tension
  • Entraînements moteur
  • Applications de puissance pulsée

Styles de boîtiers

Schéma du circuit d'application - Wolfspeed MOSFET en carbure de silicium 1 700 V
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Numéro de pièce Fiche technique Description
E3M0900170D E3M0900170D Fiche technique SiC MOSFET SiC, MOSFET, 900mohm, 1700V, TO-247-3, Automotive Gen3
E3M0900170J-TR E3M0900170J-TR Fiche technique SiC MOSFET SiC, MOSFET, 900mohm, 1700V, TO-263-7 T&R, Automotive Gen3
C3M0900170J-TR C3M0900170J-TR Fiche technique Wolfspeed SiC, MOSFET, 900mohm, 1700V, TO-263-7 T&R, Industrial
C3M0900170D C3M0900170D Fiche technique Wolfspeed SiC, MOSFET, 900mohm, 1700V, TO-247-3, Industrial
C3M0900170M C3M0900170M Fiche technique Wolfspeed SiC, MOSFET, 900mohm, 1700V, TO-247-3PF, Industrial
Publié le: 2025-04-10 | Mis à jour le: 2025-04-28