Wolfspeed Diodes Schottky au carbure de silicium 650 V
La technologie de diode Schottky au carbure de silicium (SiC) 650 V de Wolfspeed est optimisée pour les applications électroniques de puissance à hautes performances, notamment les alimentations industrielles, les serveurs/télécommunications, les systèmes de stockage d’énergie et les alimentations sans interruption. Les diodes Schottky SiC 650 V de Wolfspeed disposent d’une tension de fonctionnement de 400 V à 450 V, offrant un excellent avantage aux applications d’alimentation électrique. Les diodes SiC sont idéales pour mettre en parallèle les dispositifs en excluant les problèmes d’emballement thermique. Les diodes offrent un courant nominal de 2 A à 50 A et sont disponibles en plusieurs boîtiers.
Caractéristiques
- Faible chute de tension directe (VF) (VF= 1,27 V à +25 °C) et (VF= 1,37 V à +175 °C)
- Aucune charge de récupération inverse (Qrr) pour des opérations de commutation ultra-rapides
- Technologie MPS robuste avec une capacité de surtension élevée
- Capacité de blocage de tension inverse élevée
- Comportement de commutation indépendant de la température
- Le portefeuille contient plusieurs types de boîtiers, notamment QFN à profil mince 8x8, TO-220-2, TO-247-3, TO-252-2, TO-263-2
- Remplacement direct des diodes au silicium actuelles et autres diodes au carbure de silicium
Applications
- Alimentations d’entreprise, de serveurs et de télécommunications
- Alimentations à découpage
- Alimentations industrielles
- Systèmes de stockage d'énergie (ESS)
- Alimentations sans interruption (ASI)
- Systèmes de gestion de batterie (BMS)
- Correction de facteur de puissance décuplé
- Diodes d’amorçage
- Serrage LLC
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Publié le: 2019-05-22
| Mis à jour le: 2025-07-31