Wolfspeed MOSFET discrets au carbure de silicium 750 V
Les MOSFET discrets au carbure de silicium 750 V de Wolfspeed disposent d’une tension de rupture plus élevée, offrant une marge de conception accrue pour prendre en charge les applications client. Ces MOSFET permettent une haute densité de puissance du système avec une conception à profil mince dans le boîtier LP TO-247-4 et la technologie de montage en surface dans les options de boîtier TO-263-7 XL. Cela permet aux concepteurs de sélectionner la pièce adaptée à leur application. Les MOSFET 750 V de Wolfspeed facilitent la conversion d'énergie efficace dans divers systèmes d’alimentation. Ces systèmes comprennent des alimentations industrielles à hautes performances, des systèmes de stockage d’énergie dans les convertisseurs de véhicules électriques (EV) et des entraînements à moteur CVC EV.
Caractéristiques
- Options homologuées AEC-Q101 pour l’automobile disponibles
- Tension de rupture élevée sur l’ensemble de la plage de température de fonctionnement
- Commutation à haute vitesse avec faible capacité de sortie
- Tension de blocage élevée avec faible RDS (on)
- Diode intrinsèque rapide avec faible récupération inverse (Qrr)
- Options de la génération 4 disponibles
Applications
- Convertisseurs CC/CC pour véhicules électriques à pile à combustible
- Entraînements à moteur CVC industriels et EV
- Commande de moteur industriel
- Chargeurs embarqués EV
- Infrastructure de charge rapide EV
- Sources d’alimentation industrielles
- Convertisseurs CC-CC haute tension
- Onduleurs de traction de groupes motopropulseurs
- Systèmes de stockage solaire et d'énergie
Caractéristiques techniques
- Tension de blocage de 750 V
- Plage de résistance de 15 mΩ à 60 mΩ
- Plage de dissipation de puissance 126 W à 262 W
- Boîtiers TO-247-4LP et TO-263-7
-
Plage de courant de 35 A à 80 A
- Plage de température de fonctionnement de 55 °C à 175 °C
Fiche technique
- MOSFET de puissance au carbure de silicium pour automobiles série E E4M0025075K1, mode d'amélioration du canal N
- MOSFET de puissance au carbure de silicium pour automobiles série E E4M0045075K1, mode d'amélioration du canal N
- MOSFET de puissance automobile au carbure de silicium série E E4M0060075K1, mode d’amélioration à canal N
- MOSFET de puissance automobile au carbure de silicium série E E4M0015075K1, mode d’amélioration à canal N
- MOSFET de puissance automobile au carbure de silicium série E E4M0015075J2, mode d’amélioration à canal N
- MOSFET de puissance automobile au carbure de silicium série E E4M0025075J2, mode d’amélioration à canal N
- MOSFET de puissance automobile au carbure de silicium série E E4M0045075J2, mode d’amélioration à canal N
- MOSFET de puissance automobile au carbure de silicium série E E4M0015075J2, mode d’amélioration à canal N
- MOSFET de puissance au carbure de silicium C3M0025075K1, mode d'amélioration du canal N
- MOSFET de puissance au carbure de silicium C3M0045075K1, mode d'amélioration du canal N
- MOSFET de puissance au carbure de silicium C3M0060075K1, mode d’amélioration à canal N
Ressources
- Livre blanc sur la technologie de carbure de silicium de 4e génération
- Guide de conception des topologies de puissance de recharge pour véhicules électriques
- Techniques de disposition PCB pour MOSFET SiC discrets
- Recommandations de brasage pour les dispositifs de puissance WolfGuard®
- Recommandations de montage et mesure thermique pour les dispositifs d’alimentation SiC WolfCore® en boîtiers traversants
- PRD-06701 : gestion thermique des dispositifs à montage en surface refroidis côté inférieur et considérations de conception | Wolfspeed
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Publié le: 2024-05-09
| Mis à jour le: 2025-03-12