Wolfspeed Modules demi-ponts haute performance HM3

Les modules demi-pont haute performance 1 200 V HM3 de Wolfspeed sont des modules demi-pont à faible inductance, optimisés pour la commutation et entièrement en carbure de silicium dans un profil mince (110 mm x 65 mm x 12,2 mm). Les composants HM3 mettent en œuvre une technologie MOSFET SiC de troisième génération optimisée pour la commutation. Une embase légère compatible ALSiC de 62 mm permet la mise à niveau du système. Les autres caractéristiques comprennent une température de jonction de +175 °C et un isolant au nitrure de silicium de haute fiabilité. Les modules demi-pont haute performance HM3 sont idéaux pour les applications ferroviaires/de traction, solaires, de chargeur EV et d'automatisation/test industriel.

Caractéristiques

  • Facteur de forme léger et compact avec une plaque de base AlSiC légère compatible 62 mm permettant une mise à niveau
  • Efficacité accrue du système, en raison des faibles pertes de commutation et de conduction du SiC.
  • Sélection de matériaux de haute fiabilité
  • Faible inductance et profil mince
  • Fonctionnement à haute température de jonction (+175 °C)
  • Mise en œuvre de la technologie SiC MOSFET de troisième génération à commutation optimisée
  • Isolateur au nitrure de silicium de haute fiabilité

Caractéristiques techniques

  • Tension drain-source de 1 200 V ou 1 700 V
  • Tension grille-source
    • Valeur maximale de -8 V à +19 V
    • Valeur de fonctionnement recommandée de -4 V à +15 V
  • Température de jonction virtuelle maximale de -40 °C à +175 °C en conditions de commutation
  • MOSFET
    • Tension de rupture drain-source 1 200 V ou 1 700 V
    • Résistance de grille interne de 0,47 Ω ou 0,8 Ω
    • Capacité
      • Entrée 43,1 nF ou 79,4 nF
      • Sortie 2,76 nF ou 2,9 nF
    • Capacité de transfert inverse de 70,7 pF à 90 pF
    • Chronomètre
      • Grille-source 448 nC ou 79,4 nC
      • Grille-drain 539 nC ou 924 nC
      • Grille totale de 1 990 nNC ou 2 724 nC
  • de suppression
    • Temps de récupération inverse de 28 ns ou 49 ns
    • Charge de récupération inverse 4,5 µC ou 17,0 µC
    • Courant de récupération inverse de crête : 270 A ou 540 A
  • contrôleur
    • Résistance du boîtier
      • 106.5µΩ M1
      • 126.3µΩ M2
    • Inductance parasite de 4,8 nH à 4,9 nH
    • Température du boîtier : +125 °C
    • Poids : de 179 g à 180 g
    • Tension d'isolation du boîtier 4 kV

Applications

  • Chemin de fer et traction
  • Applications solaires
  • Chargeurs EV
  • Automatisation et essais industriels
Publié le: 2020-07-28 | Mis à jour le: 2025-06-20