Nexperia ASFET automobiles
Les ASFET automobiles de Nexperia sont des MOSFET spécifiques aux applications optimisés pour des cas d'utilisation spécifiques. Alors que les concepteurs repoussent les limites de la performance applicative, il est de plus en plus crucial de comprendre comment le MOSFET sera utilisé dans l’application. Par le passé, un commutateur d’alimentation standard avec un facteur de mérite donné (RDS(on) x Qg) fonctionnerait essentiellement dans n’importe quelle application. Cependant, pour répondre aux exigences ou fonctionnalités spécifiques des applications, l’optimisation d’un ensemble de paramètres MOSFET est de plus en plus nécessaire pour répondre à ces exigences. Par exemple, les applications peuvent nécessiter des performances améliorées en mode linéaire ou une fonctionnalité d’avalanche répétitive. Nexperia combine une expertise éprouvée des MOSFET avec une large compréhension des applications pour créer une gamme grandissante de MOSFET spécifiques aux applications.
Les ASFET automobiles de Nexperia sont conçus pour répondre aux besoins d'une gamme de charges automobiles et inductives :
- Qualifié selon AEC-Q101
- Performances d'avalanche répétitives garanties, testées jusqu'à 1 milliard de cycles
- La technologie en silicium robuste combinée aux performances thermiques du LFPAK garantit que la température de la puce reste inférieure à 175 °C
- La simplicité d'utilisation d'un seul MOSFET réduit la nomenclature et la complexité des circuits, permettant ainsi des économies d'espace et de coût au système
- Les ASFET offrent une alternative moderne à la tranchée par rapport aux technologies planaires anciennes
- Le ASFET offre un rendement supérieur et une commutation plus rapide par rapport à l’approche de diode de roue libre
Ces ASFET automobiles comprennent des MOSFET demi-pont (côté haut et côté bas) construits en formats de boîtier LFPAK56D et LFPAK33 peu encombrants. La configuration demi-pont est un bloc de construction standard pour de nombreuses applications automobiles, notamment les entraînements de moteurs et les convertisseurs CC-CC. Le demi-pont LFPAK56D occupe une surface de carte 30 % inférieure à celle des MOSFET doubles en raison du retrait des traces de PCB tout en permettant une inspection optique automatisée (AOI) simple pendant la production. Le boîtier LFPAK56D utilise des fils flexibles pour améliorer la fiabilité globale et une connexion interne à pince en cuivre entre les MOSFET simplifie la conception de la carte de circuit imprimé en offrant une solution plug-and-play avec une capacité exceptionnelle de traitement du courant.
Caractéristiques
- MOSFET spécifiques à l’application, y compris avalanche répétitive, demi-pont et ASFET à venir pour les airbags
- ASFET automobile pour avalanche répétitive
- Performances d’avalanche répétitives garanties
- Testé jusqu'à 1 milliard de cycles
- Alternative de tranchée moderne aux technologies planaires plus anciennes
- ASFET demi-pont pour configurations demi-pont
- Inductance parasite inférieure de 60 % et gain de place de 30 % par rapport au LFPAK56D double
- ASFET pour airbag
- SOA amélioré offrant des alternatives LFPAK56 ou LFPAK33 aux générations plus anciennes de DPAK et D2PAK
Applications
- Commande de moteur triphasé dans le groupe motopropulseur automobile
- Commande de moteur comme les pompes à carburant, à huile et à eau
- Convertisseurs CC-CC
- Topologies d'avalanche répétitives
- Contrôle du moteur et contrôle de la transmission
- Actionneur et charges auxiliaires
- Topologies airbag
Vidéos
Brochures
Notes d'application
Communiqués de presse
- Les MOSFET AEC-Q101 robustes offrent des performances d’avalanche répétitives garanties testées à 1 milliards de cycles
- Nexperia étend la gamme de MOSFET LFPAK56D avec un boîtier demi-pont homologué AEC-Q101
- Nexperia établit une nouvelle catégorie FET spécifique aux applications pour offrir des performances optimisées
Blogs
- Optimisation des MOSFET pour s'adapter à des applications spécifiques
- Efficacité vitale de conversion et de commande moteur essentielle pour les applications automobiles
- Comment économiser de l'espace, réduire le nombre de composants et améliorer la fiabilité des applications de solénoïde et d'actionneur dans les groupes motopropulseurs automobiles
ASFET présentés
Nexperia ASFET pour avalanche répétitive
Tension drain-source max. de 40 VDS à 60 VDS, courant de drain de 16 ID à 40 ID et charge grille-drain de 7,9 QGD.
Nexperia MOSFET demi-pont LFPAK56D
Inductance parasite inférieure de 60 % et performances thermiques améliorées dans le boîtier LFPAK56D.