Nexperia Transistor à VCEsat faible NPN PBSS4310PAS-Q
Le transistor à faible VCEsat NPN PBSS4310PAS-Q de Nexperia dispose d’une très faible tension de saturation collecteur-émetteur, d’une capacité de courant collecteur élevée et d’un haut rendement en raison de la production de chaleur réduite. Le PBSS4310PAS-Q est logé dans un petit boîtier plastique à montage en surface (CMS) ultra-fin SOT1061D (DFN2020D-3) sans plomb avec une capacité de puissance moyenne et des flancs mouillables latéraux (SWF). Le petit boîtier plastique CMS sans fil avec pastilles latérales soudable réduit les exigences de zone de carte de circuit imprimé (PCB).
Caractéristiques
- Tension de saturation collecteur-émetteur très faible VCEsat
- Capacité de courant collecteur élevée IC et ICM
- Gain de courant collecteur élevé (hFE) à IC élevé
- Rendement élevé grâce à la production de chaleur réduite
- Applications à haute température jusqu’à 175 °C
- Exigences de zone réduites de carte de circuit imprimé (PCB)
- Petit boîtier plastique CMS sans fil avec pastilles latérales soudable
- Dissipateur de chaleur exposé pour une excellente conductivité thermique et électrique
- Adapté à l’inspection optique automatique (AOI) du joint de brasage
- Homologué selon la norme AEC-Q101 et recommandé pour une utilisation dans les applications automobiles
Applications
- Régulation de tension linéaire
- Commutateur de chargement
- Dispositifs alimentés par batterie
- Gestion de l'alimentation
- Circuits de chargement
- Commutateurs d'alimentation (par exemple moteurs, ventilateurs)
Affectation des broches
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Publié le: 2022-05-12
| Mis à jour le: 2023-07-05