Nexperia MOSFET à tranchée, canal P et 20 V BSH205G2

Le MOSFET à tranchée et canal P NXP est un transistor à effet de champ (FET) à mode amélioré fourni en petit boîtier plastique SOT23 (TO-236AB) à montage en surface (CMS). Il utilise une technologie MOSFET en tranchée et offre une faible tension de seuil et une commutation très rapide. Ce MOSFET est idéal pour des applications comme les pilotes de relais, les pilotes de ligne à haut débit et les circuits de commutation.

Features

  • Low threshold voltage
  • Trench MOSFET technology
  • Low on-state resistance
  • Enhanced power dissipation capability of 890mW

Applications

  • Relay driver
  • High-speed line driver
  • High-side loadswitch
  • Switching circuits