Transistors VCEsat faible (BISS) NXP

Transistors VCEsat faible (BISS) NXP

Les transistors VCEsat faible (BISS) NXP proposent un double commutateur de charge utilisant des transistors double RET et double BISS. Les transistors VCEsat faible (BISS) NXP maintiennent la consommation d'énergie et la dissipation de chaleur au minimum, proposant une faible consommation d'énergie et une capacité élevée en courant collecteur en utilisant une technologie innovante d'émetteur à mailles.
Caractéristiques
  • Performances élevées dans un espace de carte réduit
  • Gain en courant collecteur élevé hFE à IC élevé
  • Basse tension de saturation collecteur-émetteur VCEsat et résistance correspondante RCEsat (atteignant moins de 30 mΩ)
  • Remplacement économique pour puissance moyenne plus élevée et transistors de puissance tels que SOT89, SOT223, TO-126 et DPAK
  • Capacité de courant fort au collecteur IC et ICM
Applications
  • Commutateur de puissance pour systèmes LAN et ADSL / conversion CC vers CC à puissance moyenne
  • Applications d'inverseurs, telles que les écrans TFT
  • Pilotes de périphériques à puissance moyenne, tels que ventilateur, moteur
  • Chargeurs de batterie / commutateurs de charge
  • Unités flash stroboscopiques pour appareils photo numériques et téléphones portables
Référence pièceBoîtier / EnveloppePolarité du transistorTension VCEO max. collecteur-émetteurTension de saturation collecteur-émetteurCourant collecteur CC maximalGain de courant CC hFE max.Fiche technique
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