Nexperia MOSFET à tranchée et canal P PMVxx
Les MOSFET à tranchée et canal P NXP sont des transistors à effet de champ (FET) à mode amélioré fournis en petit boîtier plastique SOT23 (TO-236AB) à montage en surface (CMS). Ils utilisent une technologie MOSFET en tranchée et offrent une faible tension de seuil et une commutation très rapide. Ces MOSFET sont idéaux pour des applications comme les pilotes de relais, les pilotes de ligne à haut débit, les commutateurs de charge côté bas et les circuits de commutation.
Features
- Low threshold voltage
- Very fast switching
- Trench MOSFET technology
- 2kV ESD protected
- Low on-state resistance
- Enhanced power dissipation capability of 1096mW
- Enhanced power dissipation capability: Ptot= 1000mW
Applications
- Relay driver
- High-speed line driver
- High-side load switch
- Switching circuits
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France