NXP Semiconductors Carte d'évaluation RDGD3162I3PH5EVB
La carte d’évaluation RDGD3162I3PH5EVB de NXP Semiconductors est un onduleur triphasé entièrement fonctionnel doté de six pilotes de grille GD3162. Les pilotes disposent d’une gestion des défaillances et d’un circuit de prise en charge. La carte prend en charge une communication en guirlande à interface périphérique série (SPI) pour la programmation et la communication. Il dispose de trois pilotes de grille côté haut et de trois pilotes de grille côté bas indépendamment ou les six pilotes de grille simultanément.
Caractéristiques
- Capacité à effectuer des tests à double impulsion et court-circuit sur la phase U à l'aide de KITGD316xTREVB et de FlexGUI ; voir les schémas de phase U et onglet Pulse FlexGUI
- La carte d'évaluation a été conçue et équipée de commandes de grilles GD3162 et de circuits de protection.
- Possibilité de se connecter à des modules SiC spécifiques de type pilote HybridPACK pour une évaluation et un développement triphasés complets.
- Communication SPI en guirlande × 3 - 2 canaux (trois pilotes de grille côté haut et trois pilotes de grille côté bas) ou × 6 - 1 canal (les six pilotes de grille)
- Alimentation VCC Flyback variable avec référence GND et alimentation électrique VEE négative variable
- Accès facile aux points de test de puissance, mise à la terre et signal
- 2 sockets PCIe × 32 pour le contrôle de microcontrôleurs (MCU) d'interface (MPC5775B/e-EVB, MPC5777C-DEVB ou MPC57744P)
- Connexion optionnelle pour la surveillance de la tension et du courant du bus CC
- Connexions de rétroaction du courant de phase
- Connecteur pour signal du résolver
Présentation générale
Produits associés
NXP Semiconductors Pilotes de grille IGBT/SiC avancés GD3162
Designed to drive SiC and IGBT modules in xEV traction inverters.
Outils associés
NXP Semiconductors Kit d'évaluation demi-pont FRDMGD3162RPEVM
Dispose de deux commandes de grilles MOSFET SiC/IGBT monocanal GD3162.
NXP Semiconductors Pilotes de grille IGBT/SiC avancés GD3162
Designed to drive SiC and IGBT modules in xEV traction inverters.
Publié le: 2022-10-18
| Mis à jour le: 2024-04-22