NXP Semiconductors Carte d'évaluation TEA2096DB2201
La carte d'évaluation TEA2096DB2201 de NXP Semiconductors dispose d'un contrôleur SR TEA2096T et de deux MOSFET 150 V. Le TEA2096T est un CI contrôleur dédié pour le redressement synchrone du côté secondaire des convertisseurs résonnants. Il intègre deux étages pour la détection et le pilotage des MOSFET SR. Cela rectifie les sorties des bobinages du transformateur secondaire à déviation centrale. Le TEA2096T dispose d'une tension drain-source nominale de 200 V. Ces caractéristiques rendent la carte d'évaluation adaptée aux applications avec une tension de sortie pouvant atteindre 60 V.
Caractéristiques
- Redressement synchrone double pour convertisseurs résonnants
- Remplacement facile des redresseurs côté secondaire d'un convertisseur résonnant existant
- Entrées différentielles pour détecter indépendamment les tensions de drain et de source de chaque MOSFET SR
- Commande de grille adaptative pour une coupure rapide en fin de conduction et un rendement maximal à n'importe quelle charge
- Niveau de régulation de −25 mV pour piloter des MOSFET à faible valeur ohmique
- Contrôle SR sans temps de marche minimal
- Prend en charge une fréquence de commutation de 1 MHz
- Fonction de verrouillage pour empêcher la conduction simultanée des MOSFET externes
- Large plage de tension d'alimentation de 4,75 V à 38 V
- Prend en charge un fonctionnement d'alimentation 5 V avec des MOSFET SR de niveau logique
- Courant d'alimentation en fonctionnement à économie d'énergie de 80 μA
- Protection par verrouillage de sous-tension (UVLO) avec abaissement de grille active
Schéma fonctionnel
Produits associés
NXP Semiconductors Contrôleur redresseur synchrone TEA2096T
Idéal pour les alimentations électriques à découpage
Publié le: 2022-10-18
| Mis à jour le: 2022-11-03