onsemi MOSFET SiC 1 200 V NVBG080N120SC1
Le MOSFET onsemi NVBG080N120SC1 1 200 V au SiC offre des performances supérieures de commutation et une fiabilité supérieure à celle du silicium. Ce MOSFET présente une basse résistance à l'état passant et une taille compacte de puce, ce qui garantit de basses capacité et charge de grille. Le MOSFET NVBG080N120SC1 se caractérise par une haute efficacité, par une haute fréquence opérationnelle, par une densité accrue de puissance, par des interférences électromagnétiques (EMI) réduites et par une taille réduite de système. Les applications typiques comprennent des chargeurs automobiles embarqués et des convertisseurs CC/CC pour les véhicules électriques et hybrides.
Caractéristiques
- Performances supérieures de commutation et fiabilité supérieure à celle du silicium
- R DS(on) standard de 80 mΩ
- Résistance drain-source (V(BR)DSS) de 1 200 V
- Courant de drain maximum (ID) de 30 A
- Charge de grille ultra-faible (QG(tot)) de 56 nC
- Faible capacité de sortie effective (standard) (COSS) de 79 pF
- Certifié pour les applications automobiles selon la norme AEC-Q101
- 100 % testé en avalanche
Applications
- Automobile
- Chargeurs embarqués
- Convertisseurs CC/CC pour véhicules électriques (EV)/ véhicules électriques hybrides (HEV)
- Onduleurs
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Publié le: 2020-09-18
| Mis à jour le: 2024-08-23