onsemi MOSFET de puissance 40 V
Les MOSFET de puissance 40 V d'onsemi intègrent une technologie de grille standard et offrent la meilleure résistance à l’état passant de leur catégorie. Les MOSFET onsemi sont conçus pour les applications de commande moteur. Ces composants minimisent efficacement les pertes de conduction et de pilotage avec une résistance en marche plus faible et une charge de grille réduite. De plus, les MOSFET fournissent un excellent contrôle de la douceur pour la récupération inverse de la diode du corps, atténuant efficacement la tension de crête sans nécessiter de circuit limiteur supplémentaire dans les applications.Caractéristiques
- Faible résistance RDS(on) pour minimiser la perte de conduction
- Faible Qrr avec récupération douce pour minimiser les pertes ERR et les pics de tension
- Faible Qg et faible capacité pour minimiser les pertes de pilotage et de commutation
- Sans Pb, sans halogène/sans BFR et conforme à la directive RoHS
Applications
- Conversion CC-CC à haute fréquence de commutation
- Redressement synchrone
Schéma fonctionnel
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| Numéro de pièce | Fiche technique | Vds - Tension de rupture drain-source | Id - Courant continu de fuite | Rds On - Résistance drain-source |
|---|---|---|---|---|
| NTMFS0D4N04XMT1G | ![]() |
40 V | 509 A | 420 uOhms |
| NTMFS0D5N04XLT1G | ![]() |
40 V | 455 A | 490 uOhms |
| NTMFS0D6N04XMT1G | ![]() |
40 V | 380 A | 570 uOhms |
| NTMFS0D9N04XLT1G | ![]() |
40 V | 278 A | 900 uOhms |
| NTMFS1D1N04XMT1G | ![]() |
40 V | 233 A | 1.05 mOhms |
| NTMFS1D3N04XMT1G | ![]() |
40 V | 195 A | 1.3 mOhms |
| NTMFS2D3N04XMT1G | ![]() |
40 V | 111 A | 2.35 mOhms |
| NTMFS2D5N08XT1G | ![]() |
80 V | 181 A | 2.1 mOhms |
| NTMFS3D5N08XT1G | ![]() |
80 V | 135 A | 3 mOhms |
| NTMFS0D5N04XMT1G | ![]() |
40 V | 414 A | 520 uOhms |
Publié le: 2024-01-16
| Mis à jour le: 2025-09-30

