onsemi IGBT FGY100T120RWD
Les IGBT FGY100T120RWD d'onsemi combinent une nouvelle technologie IGBT de 7e génération à arrêt de champ dans un boîtier TO247 à 3 fils. Le FGY100T120RWD dispose de performances optimales, de faibles pertes de conduction et d'une bonne capacité de contrôle de commutation. Les IGBT FGY100T120RWD d'onsemi produisent un fonctionnement à haut rendement dans diverses applications, notamment le contrôle de moteur, les ASI, les centres de données et les commutateurs à haute puissance.
Caractéristiques
- Faible perte de conduction et commutation optimisée
- Température de jonction maximale de TJ = +175 °C
- Coefficient de température positif pour un fonctionnement en parallèle facile
- Capacité d'intensité élevée
- 100 % des pièces sont testées dynamiquement
- Classé court-circuit
- Conforme à la directive RoHS
- Boîtier TO247 à 3 fils
Applications
- Commande de moteurs
- ASI
- Application générale nécessitant un commutateur à haute puissance
Caractéristiques techniques
- Courant collecteur 100 A
- 1,4 V VCE (SAT)
- Tension collecteur-émetteur 1200 V
- Temps de tenue aux courts-circuits de 5 µs
- Courant collecteur pulsé de 300 A
Application standard
Caractéristiques de sortie
Publié le: 2023-04-18
| Mis à jour le: 2023-11-29