onsemi Transistor de puissance bipolaire NSV1C300CT

Le transistor à alimentation bipolaire NSV1C300CT d'onsemi est une famille e2PowerEdge de transistors à faible tension de saturation (VCE(Sat)) qui sont des dispositifs à montage en surface. Ce transistor bipolaire PNP se caractérise par sa faible tension de saturation et sa capacité de gain de courant élevée. Le transistor NSV1C300CT est logé dans un boîtier mince LFPAK4 de 5 mm x 6 mm et contient des flancs mouillables qui sont nécessaires pour l’industrie automobile. Ce transistor est conçu pour être utilisé dans les applications de commutation basse tension et haute vitesse où un contrôle efficace de l’énergie est important. Le transistor NSV1C300CT est certifié AEC-Q101 et compatible PPAP. Ce transistor à alimentation bipolaire est sans plomb, sans halogène, sans BFR et conforme à la directive RoHS. Les applications standard incluent les convertisseurs CC-CC et la gestion de l’alimentation dans les produits portables et alimentés par batterie tels que les téléphones cellulaires et sans fil, les appareils photo numériques et les lecteurs MP3.

Caractéristiques

  • Complément à NSS1C301CT="0" tid="0">NST1601CL
  • Boîtier mince de 5 mm x 6 mm LFPAK4 avec flancs mouillables
  • Préfixe NSV pour l’automobile et les autres applications nécessitant des exigences de site et de changement de contrôle uniques
  • Plage de température de jonction de fonctionnement et de stockage de -55 °C à 150 °C
  • Certifié AEC-Q101 et compatible PHPP
  • Les dispositifs sont sans Pb, sans halogène/sans BFR et conformes à la directive RoHS

Applications

  • Convertisseurs CC/CC et gestion de l’alimentation dans les produits portables et alimentés par batterie
  • Téléphones cellulaires et sans fil
  • Appareils photo numériques
  • Lecteurs MP3

Dimensions du boîtier

Plan mécanique - onsemi Transistor de puissance bipolaire NSV1C300CT
Publié le: 2024-09-16 | Mis à jour le: 2024-10-04