onsemi MOSFET au carbure de silicium (SiC) NTH4L060N065SC1
Le MOSFET onsemi NTH4L060N065SC1 au carbure de silicium (SiC) présente des performances de commutation et une fiabilité supérieures. Le MOSFET a une basse résistance à l'état passant (ON) et sa taille compacte de puce garantit de basses capacité et charge de grille. Les avantages du système comprennent donc une efficacité optimale, une fréquence accrue de fonctionnement, une densité accrue de puissance, une réduction des EMI et une réduction de taille de système.
Caractéristiques
- Rayonnement std. RDS(on) = 44 m à VGS = 18 V
- Standard RDS(on) = 60 m à VGS = 15 V
- Charge de grille ultra-faible (QG(tot) = 74 nNC)
- Faible capacité (Coss = 133 pF)
- Testés à 100 % en mode avalanche
- TJ = 175 °C
- Ce composant est sans plomb et conforme à la directive RoHS
Applications
- SMPS (alimentations à découpage)
- Convertisseurs solaires
- ASI (alimentations sans interruption)
- Stockages d'énergie
Produits associés
onsemi Pilotes de grille d’appariement avec MOSFET EliteSiC
Gamme complète de pilotes de grille et de MOSFET Elite qui, lorsqu’ils sont associés, améliorent les performances thermiques.
Solutions connexes
onsemi EliteSiC
Répond aux besoins d'applications exigeantes telles que les convertisseurs solaires et les chargeurs de véhicules électriques.
Publié le: 2022-05-09
| Mis à jour le: 2024-06-19