onsemi MOSFET au carbure de silicium 57 mohm NTH4L075N065SC1
Le MOSFET au carbure de silicium de 57 mΩ onsemi NTH4L075N065SC1 est logé dans un boîtier TO-247-4L et conçu pour être rapide et robuste. Les dispositifs onsemi NTH4L075N065SC1 présentent une intensité de champ de rupture diélectrique 10 fois supérieure et une vitesse de saturation électronique 2 fois supérieure. Les MOSFET présentent également une bande interdite d'énergie 3x supérieure et une conductivité thermique 3x supérieure. Tous les présentent une qualification AEC-Q101 et des options conformes aux normes PPAP, spécialement conçues et qualifiées pour des applications automobiles et industrielles.
Caractéristiques
- Rayonnement std. RDS(on) = 57 mΩ sous VGS = 18 V
- Rayonnement std. RDS(on) = 75 mΩ sous VGS = 15 V
- Charge de grille ultra-faible (QG(tot) = 61 nC)
- Faible capacité de sortie (Coss = 107 pF)
- Testé à 100 % en mode avalanche
- TJ = 175 °C
- Ce composant est sans halogène et conforme à la directive RoHS avec l'exemption 7a, sans Pb sur 2LI (sur l'interconnexion de deuxième niveau)
Applications
- SMPS (alimentations à découpage)
- Onduleurs solaires
- ASI (alimentations sans interruption)
- Stockages d'énergie
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Publié le: 2022-08-23
| Mis à jour le: 2024-06-19