onsemi MOSFET à canal N NTTFD4D0N04HL et NTTFD9D0N06HL
Les MOSFET à canal N NTTFD4D0N04HL et NTTFD9D0N06HL onsemi sont des MOSFET POWERTRENCH® à double canal symétrique et raccord de recharge sous un boîtier WQFN12. Ces dispositifs comprennent deux MOSFET à canal N spécialisés dans un double boîtier. Le nœud commutateur est connecté en interne pour faciliter le placement et le routage de convertisseurs buck synchrone. Les MOSFET de contrôle (Q2) et les MOSFET synchrones (Q1) sont conçus pour fournir un rendement énergétique optimal. Les MOSFET à canal N NTTFD4D0N04HL et NTTFD9D0N06HL d'Onsemi et offrent un faible RDS(on), un faible QG et une faible capacité, ainsi que de faibles pertes de conduction/pilote. Les applications typiques comprennent les convertisseurs CC-CC, les points de charge universels, les entraînements de moteurs monophasés, l'informatique et les communicationsCaractéristiques
- 3 mm x 3 mm Boîtier WQFN12 3 mm x 3 mm
- Configuré en demi-pont pour réduire les parasites du boîtier
- Low RDS(on)
- Minimise les pertes par conduction
- Qg et capacité faibles
- Minimise les pertes du pilote
Applications
- Informatique
- Communications
- Points de charge universel
- Convertisseurs CC/CC
- Commandes de moteurs monophasés
- Modules CC-CC
Caractéristiques techniques
- NTTFD4D0N04HL
- Canal N Q1 :
- 4,5 mΩ max RDS(on) à 10 V VGS, 10 A ID
- 7 mΩ max RDS(on) à 4,5 V VGS, 8 A ID
- Q2 : Canal N
- 4,5 mΩ max RDS(on) à 10 V VGS, 10 A ID
- 7 mΩ max RDS(on) à 4,5 V VGS, 8 A ID
- Canal N Q1 :
- NTTFD9D0N06HL
- Canal N Q1 :
- 9 mΩ max RDS(on) à 10 V VGS, 10 A ID
- 13 mΩ max RDS(on) à 4,5 V VGS, 8 A ID
- Q2 : Canal N
- 9 mΩ max RDS(on) à 10 V VGS, 10 A ID
- 13 mΩ max RDS(on) à 4,5 V VGS, 8 A ID
- Canal N Q1 :
Connexions électriques
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| Numéro de pièce | Fiche technique | Description |
|---|---|---|
| NTTFD4D0N04HLTWG | ![]() |
MOSFET T8 40V DFN POWER CLIP 3X3 DUAL SYMMETRICAL |
| NTTFD9D0N06HLTWG | ![]() |
MOSFET T8 60V DFN POWER CLIP 3X3 DUAL SYMMETRICAL |
Publié le: 2020-08-02
| Mis à jour le: 2024-06-12

