onsemi MOSFET au carbure de silicium (SiC) NVHL025N065SC1
Les MOSFET au carbure de silicium (SiC) NVHL025N065SC1 d'onsemi sont des MOSFET 25 mΩ, 650 V EliteSiC qui offrent des performances de commutation supérieures. Le NVHL025N065SC1 d'onsemi offre une fiabilité supérieure par rapport au silicium et une faible résistance à l’état passant. La taille compacte de puce des MOSFET garantit une capacité et une charge de grille faibles. Les avantages du système incluent un rendement élevé, une fréquence de fonctionnement rapide, une densité de puissance accrue, une réduction des EMI et une taille de système réduite.
Caractéristiques
- Rayonnement std. RDS(on) = 19 mΩ sous VGS = 18 V
- Rayonnement std. RDS(on) = 25 mΩ sous VGS = 15 V
- Charge ultra-basse de grille (QG(tot) = 164 nC)
- Basse capacité (Coss = 278 pF)
- Testé en avalanche à 100 %
- Certifié AEC-Q101 et compatible PHPP
- Sans plomb et conforme à la directive RoHS
Applications
- Chargeurs automobiles embarqués
- Convertisseurs CC-CC automobiles pour EV/HEV
Schéma du circuit d’application
MOSFET associés
onsemi MOSFET au carbure de silicium (SiC) NVHL015N065SC1
Offrent un rendement élevé, une fréquence de fonctionnement plus rapide et une densité de puissance accrue.
onsemi MOSFET EliteSiC (carbure de silicium) 650 V
Technologie qui offre des performances de commutation et une fiabilité supérieures par rapport au silicium.
En savoir plus sur EliteSiC
onsemi EliteSiC
Répond aux besoins d'applications exigeantes telles que les convertisseurs solaires et les chargeurs de véhicules électriques.
Publié le: 2024-02-14
| Mis à jour le: 2024-06-18