onsemi Modules demi-pont EliteSiC NXH00xP120M3F2PTxG
Les modules demi-pont EliteSiC NXH00xP120M3F2PTxG d'Onsemi sont des modules à 2 boîtiers avec deux commutateurs MOSFET SIC de 1 200 V 3 mΩ ou 4 mΩ et une thermistance avec un substrat DBC (cuivre à liaison directe) alumine dopée à la zircone (HPS) ou DBC nitrure de silicium (Si3N4). Les commutateurs MOSFET SIC en boîtier F2 utilisent la technologie M3S et disposent d’une plage de commande de grille 15 V à 18 V. Les applications comprennent les conversions CC-CA, CC-CC et CA-CC.
Caractéristiques
- Demi-ponts MOSFET SIC M3S de 1 200 V 3 mΩ ou 4 mΩ
- Options de boîtier F2
- DBC (cuivre à liaison directe) alumine dopée à la zircone (HPS)
- DBC (cuivre à liaison directe) nitrure de silicium (Si3N4)
- Plage de pilote de grille de 15 V à 18 V
- Thermistance
- Matériau d’interface thermique (TIM) pré-appliqué
- Broches à insertion par pression
- Sans plomb, sans halogénure et conforme à la directive RoHS
Applications
- Onduleurs solaires
- Alimentation non interruptible (UPS)
- Stations de chargement de véhicules électriques (EV)
- Alimentation industrielle
Fiche technique
- Topologie demi-pont à 2 boîtiers 1 200 V, MOSFET M3 SIC 3 mΩ, EliteSiC
- Boîtier F2 à substrat DBC HPS NXH003P120M3F2PTHG
- Boîtier F2 à substrat DBC Si3N4 NXH003P120M3F2PTNG
- Topologie demi-pont à 2 boîtiers 1 200 V, MOSFET M3 SIC 4 mΩ, EliteSiC
- Boîtier F2 à substrat DBC HPS NXH004P120M3F2PTHG
- Boîtier F2 à substrat DBC Si3N4 NXH004P120M3F2PTNG
Schéma
Connexions de broches
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En savoir plus sur EliteSiC
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Publié le: 2023-11-20
| Mis à jour le: 2024-06-18