Relais PhotoMOS Panasonic

Relais PhotoMOS Panasonic

Relais PhotoMOS

Auparavant, tous les relais effectuaient leur fonction de commutation par des moyens électromécaniques. Aujourd'hui, les ingénieurs peuvent aussi opter pour des relais à semi-conducteurs utilisant ces derniers pour commuter leurs circuits de sortie. Le choix entre des relais classiques et à semi-conducteurs est souvent dicté par la fiabilité et les performances. Les relais à semi-conducteurs n'ayant pas de parties mobiles, ils évitent les défaillances mécaniques associées aux relais classiques. Ils disposent aussi d'autres caractéristiques dignes d'intérêt comme une faible consommation énergétique, un faible courant de fuite, une taille réduite, des vitesses de commutation élevées, aucun rebond au contact et une haute fiabilité sur une longue vie.

Les relais optiquement isolés peuvent éclipser d'autres composants à semi-conducteurs qui utilisent des principes de fonctionnement électriques ou magnétiques. Ces relais sont caractérisés par l'utilisation d'une diode émettant de la lumière côté d'entrée, de MOSFET côté sortie et d'une matrice de photocapteurs au centre. Les LED et matrices photosensibles sont moulées dans de la résine translucide qui permet à la lumière de les traverser tout en créant une barrière diélectrique entre l'entrée et la sortie.

Construction de base
Schéma des relais PhotoMOS Panasonic


Relais PhotoMOS série AQY - Relais monocanal à 4 broches

Le boîtier SON offre le composant à base MOSFET le plus petit disponible, pour réduire l'espace utilisé sur la carte. Le boîtier SSOP propose l'option pilotée par la tension la plus basse avec une résistance intégrée. Les boîtiers SOP, DIP et Power DIP complètent la gamme à 4 broches avec une grande capacité, une protection contre les courts-circuits, une limitation du courant, de faibles valeurs CxR et une configuration pilotée en tension.


Caractéristiques
  • La structure verticale VSSOP donne une empreinte de 4,6 mm2
  • La structure compacte SON est sans fil
  • Options SSOP, SOP, DIP et Power DIP

Relais PhotoMOS série AQZ - Relais monocanal en boîtier SIL (Single Inline Package) à 4 broches

Boîtier SIL à configurations de sortie  Forme A et Forme B. Courant nominal de charge 6 A et option pilotée en tension.

Caractéristiques
  • Boîtier SIL (Single Inline)
  • Configurations de sortie : 1 Forme A et 1 Forme B
  • Courant nominal de charge 6 A et option pilotée en tension

Relais PhotoMOS série AQV - Relais monocanal à 6 broches

Boîtiers SOP et DIP à configurations de sortie 1 Forme A et 1 Forme B. Faible résistance en marche, faible CxR, protection contre les courts-circuits, commutation haute capacité et faible courant d'entrée.

Caractéristiques
  • Boîtiers SOP et DIP
  • Configurations de sortie Forme A et Forme B
  • Faible résistance en marche, faible CxR, protection contre les courts-circuits, commutation haute capacité et faible courant d'entrée.

Relais PhotoMOS série AQW - Relais à double (2) canal et 8 broches

Boîtiers SOP et DIP à configurations de sortie 2 Formes A, 2 Formes B et Formes A&B. Faible résistance en marche, faible CxR et fonction de limitation du courant.

Caractéristiques
  • Boîtiers SOP et DIP
  • Configurations de sortie 2 Formes A, 2 Formes B et Formes A&B
  • Faible résistance en marche, faible CxR et fonction de limitation du courant

Relais PhotoMOS série AQS - Relais à 4 canaux et 16 broches

Boîtier SOP à configuration de sortie à canaux multiples à 4 formes A. Faible résistance en marche et option pilotée en tension.

Caractéristiques
  • Boîtier SOP
  • Configuration de sortie à canaux multiples 4 Formes A
  • Faible résistance en marche et option pilotée en tension

Pilotes MOSFET photovoltaïques APV


Caractéristiques :
  • Vitesse de commutation élevée
  • Gain de place
  • Isolation élevée
  • Large offre de produits
Applications
  • Alimentation (Vcc) pour circuits électroniques
  • MOSFET pilote
eNews
  • Panasonic Industrial Devices
Publié le: 2015-02-04 | Mis à jour le: 2024-09-30