Qorvo Amplificateur de puissance GaN sur SiC large bande 17 W QPA1009
L'amplificateur de puissance GaN sur SiC à grande largeur de bande de 17 W QPA1009 de Qorvo fonctionne de 10,7 GHz à 12,7 GHz fournissant 42 dBm de puissance de sortie saturée et 16 dB de gain de signal important tout en atteignant une efficacité de puissance ajoutée 33 %. Les ports RF du QPA1009 sont équipés de condensateurs de blocage CC et sont adaptés à 50 Ω. Le port d'entrée RF du composant est couplé CC à la terre pour des performances DES optimales. Le QPA1009 est fabriqué selon un processus GaN (nitrure de gallium) QGaN15 de 0,15 µm sur SiC (carbure de silicium) et est testé à 100 % en CC et RF pour garantir la conformité aux spécifications électriques.
L'amplificateur de puissance 17 W large bande au GaN sur SiC QPA1009 de Qorvo est disponible en boîtier stratifié de 6,0 mm x 5,0 mm. Le QPA1009 peut prendre en charge un large éventail de conditions de fonctionnement, notamment l'onde continue (CW), ce qui le rend bien adapté aux applications commerciales et militaires.
Caractéristiques
- Plage de fréquence de 10,7 GHz à 12,7 GHz
- Puissance de sortie saturée de 43 dBm (PSAT)
- Rendement en puissance ajoutée (PAE) de 33 %
- Gain de puissance : 16 dB
- Gain de signal faible de 21 dB
- Tension de drain de 20 V (VD)
- Courant de drain de 300 mA (IDQ)
- Plage de température de fonctionnement de -40 °C à +85 °C
- Boîtier stratifié de 6,00 mm x 5,00 mm x 1,76 mm
- Sans halogènes, sans plomb et conforme à la directive RoHS
Applications
- Communications satellitaires
- Radar
- Communications point à point
Outils de développement
Qorvo Carte d'évaluation QPA1009EVB
Plateforme de démonstration et de développement pour l'amplificateur de puissance 17 W large bande GaN sur SiC QPA1009.
Amplis associés
Qorvo GaN Power Amplifiers
Allow unique, cost-effective solutions across a variety of applications.
Schéma de principe
Profil de boîtier
Publié le: 2022-02-07
| Mis à jour le: 2025-07-17