Qorvo Amplificateur de puissance 100 W au GaN de 5,7 GHz à 7,0 GHz QPM1017
L’amplificateur de puissance 100 W au GaN de 5,7 GHz à 7,0 GHz QPM1017 de Qorvo est un module amplificateur en bande C de haute puissance en boîtier, fabriqué selon le procédé au nitrure de gallium (GaN) à 0,15 μm sur carbure de silicium (SiC). Couvrant de 5,7 GHz à 7,0 GHz, le QPM1017 de Qorvo fournit 100 W de puissance de sortie saturée avec 18 dB de gain de signal élevé tout en atteignant un rendement à puissance ajoutée >35 %. Le QPM1017 fournit une alimentation linéaire de 40 W pour les applications de communication par satellite avec des produits de distorsion d’Intermodulation de troisième ordre (IM3) de 25 dBc. Le QPM1017 de Qorvo est fourni dans un boîtier boulonné 10-lead de 19,05 mm x 19,05 mm avec une base en cuivre (Cu) pour une gestion thermique supérieure.
Pour simplifier l’intégration du système, le QPM1017 est entièrement adapté au 50 Ω. Le port d’entrée est relié la masse CC pour de meilleures performances DES et le port de sortie est couplé en CA à un condensateur de blocage CC intégré.
Caractéristiques
- Gamme de fréquences : 5,7 GHz à 7,0 GHz
- Puissance de sortie au point de saturation (PSAT) : 50 dBm
- Rendement en puissance ajoutée (PAE) : 35 %
- Gain de grand signal : 18 dB
- Gain des signaux faibles : 24 dB
- Plage de température de fonctionnement de -40 °C à +85 °C
- Boîtier avec base Cu 19,05 mm x 19,05 mm x 4,5 mm
- Conforme à la directive RoHS
Applications
- Radar en bande C
- Communications satellitaires
Désignations des broches
Circuit d’application standard
Profil de boîtier
Outils de développement
Qorvo Carte d'évaluation QPM1017EVB1
Plateforme de démonstration et de développement pour l’amplificateur de puissance 100 W au GaN QPM1017.
Publié le: 2020-07-28
| Mis à jour le: 2024-09-11