ROHM Semiconductor MOSFET automobiles à canal N + canal N QS6Kx
Les MOSFET automobiles à canal N + canal N QS6Kx de ROHM Semiconductor sont des MOSFET à faible résistance à l'état passant qui sont fournis avec une diode de protection G-S intégrée. Ces MOSFET sont homologués AEC-Q101 et disposent d’un courant de drain continu (ID) de ±1 A. Les MOSFET QS6Kx sont disponibles en petit boîtier à montage en surface (TSMT6). Les MOSFET QS6Kx de ROHM Semiconductor sont adaptés aux applications de commutation de puissance.
Caractéristiques
- Faible résistance à l'état passant
- Diode G-S intégrée
- Homologués AEC-Q101
- Petit boîtier à montage en surface (TSMT6)
Caractéristiques techniques
- QS6K1FRA
- Tension drain-source (VDSS) de 30 V
- QS6K21FRA
- Tension drain-source (VDSS) de 45 V
- Commun
- Courant de drain continu (ID) de ±1 A
- Dissipation de puissance (PD) de 1,25 W
- Plage de température de fonctionnement de -55 °C à +150 °C
Circuit équivalent QS6K1FRA
Circuit intérieur QS6K21FRA
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| Numéro de pièce | Fiche technique | Description | Vds - Tension de rupture drain-source | Rds On - Résistance drain-source | Vgs th - Tension de seuil grille-source | Qg - Charge de grille | Temps de montée | Temps de descente |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| QS6K1FRATR |  |
MOSFET 0.26Rds(on) 1.7Qg | 30 V | 238 mOhms | 1.5 V | 1.7 nC | 7 ns | 6 ns |
| QS6K21FRATR | |
MOSFET 0.415Rds(on) 1.5Qg | 45 V | 420 mOhms | 1.5 V | 1.5 nC | 8 ns | 7 ns |
Publié le: 2020-11-18
| Mis à jour le: 2024-10-29