ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobile à canal N R800xxND3FRA
Les MOSFET de puissance automobile à canal N R800xxND3FRA de ROHM Semiconductor sont des MOSFET à faible résistance à l'état passant avec des circuits de pilotage simples. Ces MOSFET disposent d'un retard de commutation rapide, d'un placage sans plomb et sont homologués AEC-Q101. Les MOSFET R800xxND3FRA sont disponibles en boîtiers DPAK (TO-252). Les MOSFET R800xxND3FRA de ROHM Semiconductor sont adaptés aux alimentations de commutation.
Caractéristiques
- Faible résistance à l'état passant
- Intègrent des circuits de pilotage simples
- Vitesse de commutation élevée
- Placage sans plomb
- Homologués AEC-Q101
- Conforme à la directive RoHS
Caractéristiques techniques
- R8001CND3FRA
- Résistance drain-source statique à l’état passant de 8,7 Ω
- Courant de drain continu de ±1 A
- Dissipation de puissance de 36 W (PD)
- R8002CND3FRA
- Résistance drain-source statique à l’état passant de 4,3 Ω
- Courant de drain continu de ±2 A
- Dissipation de puissance de 69 W (pd)
- R8007AND3FRA
- Résistance drain-source statique à l’état passant de 1,6 Ω
- Courant de drain continu de ±7 A
- Dissipation de puissance de 140 W (PD)
- Commun
- Tension drain-source (VDSS) de 800 V
- Disponible en boîtiers DPAK (TO-252)
- Plage de température de fonctionnement de -55 °C à +150 °C
Schémas de circuit intérieur
Graphiques de performance
Produits associés
ROHM Semiconductor AEC-Q101 Automotive MOSFETs
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| Numéro de pièce | Fiche technique | Description | Id - Courant continu de fuite | Rds On - Résistance drain-source | Qg - Charge de grille | Pd - Dissipation d’énergie |
|---|---|---|---|---|---|---|
| R8007AND3FRATL |  |
MOSFET Transistor MOSFET, Nch 800V 7A 1st Gen, for Auto | 7 A | 1.6 Ohms | 28 nC | 140 W |
| R8001CND3FRATL | |
MOSFET Transistor MOSFET, Nch 800V 1A 1st Gen, for Auto w/ESD Protect | 1 A | 8.7 Ohms | 7.2 nC | 36 W |
| R8002CND3FRATL | |
MOSFET TO252 800V 2A N-CH | 2 A | 4.3 Ohms | 12.1 nC | 69 W |
Publié le: 2020-11-18
| Mis à jour le: 2024-10-29