ROHM Semiconductor Diodes à barrière de Schottky VF ultra-faible série RBS1
Les diodes à barrière de Schottky série RBS1 de ROHM Semiconductor sont des diodes dotées d'un type de moule à petite puissance avec un courant direct rectifié (IO) de 1 A et une tension directe inverse (VR) de 20 V. Ces diodes sont fabriquées à partir d'une structure planaire épitaxiale en silicium et sont logées dans des boîtiers PMDTM (SOD-128) ou PMDU (SC-109 B). Les diodes à barrière RBS1 de ROHM Semiconductor offrent une VF ultra-faible, une haute fiabilité et fonctionnent sur une plage de température de -55 °C à +125 °C. Ces diodes à barrière Schottky sont idéales pour le redressement général.
Caractéristiques
- VF super faible et haute fiabilité
- Courant direct rectifié moyen (IO) de 1 A
- Tension directe inverse (VR) de 20 V
- Type de moule à faible puissance
- Structure type planaire épitaxiale en silicium
- Boîtiers PMDTM (SOD-128) ou PMDU (SC-109B)
- Plage de température de -55 °C à +125 °C
- Convient au redressement général
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Publié le: 2020-12-31
| Mis à jour le: 2024-10-31