ROHM Semiconductor Tranchée IGBT à arrêt de champ 650 V RGTV
La tranchée IGBT à arrêt de champ 650 V RGTV de ROHM Semiconductor offrent une faible tension de saturation collecteur-émetteur dans un petit boîtier. Les IGBT RGTV disposent d’une commutation à haute vitesse, d’une faible perte de commutation et d’un temps de tenue aux courts-circuits de 2μs. Les tranchées IGBT à arrêt de champ 650 V RGTV de ROHM sont idéales pour les applications d’onduleurs solaires, d'ASI, de soudage, d'IH et de PFC.
Caractéristiques
- Faible tension de saturation collecteur-émetteur
- Commutation à haute vitesse et faible perte de commutation
- Durée de tenue aux courts-circuits 2 μs
- Placage sans plomb
- Conforme à la directive RoHS
Applications
- Onduleur solaire
- ASI
- Soudage
- IH
- PFC
Produits associés
ROHM Semiconductor Field Stop Trench IGBTs
High-efficiency IGBTs used in a wide range of high-voltage and high-current applications.
Publié le: 2021-03-31
| Mis à jour le: 2022-03-11