ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P RH7G04CBJFRA
Le MOSFET de puissance à canal P RH7G04CBJFRA de ROHM Semiconductor est homologué AEC-Q101 pour les applications automobiles comme l'infodivertissement, l'éclairage, le système d'aide à la conduite (ADAS) et la carrosserie. Le dispositif offre une tension drain-source de -40 V et un courant de drain continu de ±40 A. Le MOSFET RH7G04CBJFRA de ROHM est disponible dans un boîtier DFN-8.
Caractéristiques
- Produit avec flancs mouillables
- Qualification AEC-Q101
- 100 % testé en avalanche
- Boîtier DFN-8
Applications
- Système d'aide à la conduite (ADAS)
- Info-divertissement
- Éclairage
- Carrosserie
Caractéristiques techniques
- Tension drain-source de -40 V
- Résistance à l'état passant drain-source statique de 17,7 mΩ
- Courant de drain continu de ±40 A
- Dissipation d'énergie de 62 W
Application standard
Circuits de mesure
Publié le: 2025-03-03
| Mis à jour le: 2025-03-13