ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RJ1N04BBH N-Ch
Le MOSFET de puissance RJ1N04BBH N-Ch de ROHM Semiconductor offre une tension entre la source et le drain de 80 V avec une faible résistance de conduction. Le dispositif présente un courant de drain continu de ±100 A et une dissipation d’énergie de 89 W. Le RJ1N04BBH convient à de nombreuses applications, notamment la commutation, les entraînements à moteur et les convertisseurs CC/CC. Le MOSFET RJ1N04BBH de ROHM est disponible dans un boîtier TO263AB haute puissance.
Caractéristiques
- Faible résistance en état de fonctionnement
- Boîtier haute puissance (TO263AB)
- Placage sans Pb et conforme à la directive RoHS
- Sans halogène
- 100 % testé à Rg et UIS
Applications
- Commutation
- Entraînements à moteur
- Convertisseur CC/CC
Caractéristiques techniques
- Tension de 80 V entre le drain et la source
- Résistance à l’état passant statique entre le drain et la source de 5,3 mΩ
- Courant de drain continu ±100 A
- Dissipation d’énergie de 89 W
Application standard
Circuits de mesure
Publié le: 2025-03-04
| Mis à jour le: 2025-03-12