ROHM Semiconductor MOSFET automobile à canal P RRQ030P03HZG
Le MOSFET à petit signal et canal P RRQ030P03HZG de ROHM Semiconductor fournit une faible résistance à l'état passant et intègre une diode G-S. Ce MOSFET offre une tension drain-source (VDSS) de -30 V, un courant de drain continu (ID) de ±3 A et une dissipation de puissance (PD) de 1,25 W. Le MOSFET RRQ030P03HZG dispose d'un placage de fil sans plomb et est homologué AEC-Q101. Le MOSFET RRQ030P03HZG de ROHM Semiconductor est fourni dans un petit boîtier TSMT6 à montage en surface et est idéal pour les applications de commutation.
Caractéristiques
- Faible résistance à l'état passant
- Diode G-S intégrée
- Petit boîtier à montage en surface TSMT6
- Placage des fils sans plomb
- Conforme à la directive RoHS
- Homologué AEC-Q101
Caractéristiques techniques
- Tension drain-source (VDSS) de -30 V
- Résistance entre drain et source statique maximale de 75 mΩ à l'état passant (RDS (on))
- Courant de drain continu (ID) de ±3 A
- Dissipation de puissance de 1,25 W (PD)
- Plage de température de jonction de fonctionnement de -55 °C à +150 °C
Schéma de circuit interne
Graphiques de performance
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Publié le: 2020-11-18
| Mis à jour le: 2024-10-29