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ROHM Semiconductor MOSFET à 7 broches de type tranchée SiC SCTxxxAW7/SCT3xxxKW7

Les MOSFET à 7 broches de type tranchée SiC SCT3xxxAW7/SCT3xxxKW7 de ROHM Semiconductor utilisent une structure de grille à tranchée propriétaire pour réduire de 50 % la résistance à l'état passant et de 35 % la capacité d'entrée par rapport aux MOSFET SiC de type planaire. Les MOSFET comprennent une broche supplémentaire qui sépare les broches du pilote et de la source d'alimentation, éliminant les effets du composant d'inductance dans la réduction de la tension Vgs, assurant des retards de commutation plus rapides. Les MOSFET de type tranchée ROHM Semiconductor disposent d’une résistance à haute tension, d’une faible résistance à l’état passant, d’une vitesse de commutation rapide, d’un pilotage simple et facile à mettre en parallèle.

Caractéristiques

  • Faible résistance à l'état passant
  • Vitesse de commutation élevée
  • Récupération inverse rapide
  • Facile à mettre en parallèle
  • Facile à piloter
  • Placage des fils sans plomb
  • Conforme à la directive RoHS

Applications

  • Onduleurs solaires
  • Convertisseurs CC-CC
  • Alimentations à découpage
  • Chauffage par induction
  • Commandes de moteurs

Caractéristiques techniques

  • SCT3xxxAW7
    • Tension drain-source 650 V
    • Résistance à l'état passant drain-source (std)
      • 30 mΩ (SCT3030AW7), 60 mΩ (SCT3060AW7), 80 mΩ (SCT3080AW7), 120 mΩ (SCT3120AW7)
    • Courant de drain
      • 70 A (SCT3030AW7), 38 A (SCT3060AW7), 29 A (SCT3080AW7), 21 A (SCT3120AW7)
    • Dissipation de puissance totale
      • 267 W (SCT3030AW7), 159 W (SCT3060AW7), 125 W (SCT3080AW7), 100 W (SCT3120AW7)
  • SCT3xxxKW7
    • Tension drain-source 1 200 V
    • Résistance à l'état passant drain-source (std)
      • 40 mΩ (SCT3040KW7), 80 mΩ (SCT3080KW7), 105 mΩ (SCT3105KW7), 160 mΩ (SCT3160KW7)
    • Courant de drain
      • 56 A (SCT3040KW7), 30 A (SCT3080KW7), 23 A (SCT3105KW7), 17 A (SCT3160KW7)
    • Dissipation de puissance totale
      • 267 W (SCT3040KW7), 159 W (SCT3080KW7), 125 W (SCT3105KW7), 100 W (SCT3160KW7)

Schéma de principe

Schéma du circuit d'application - ROHM Semiconductor MOSFET à 7 broches de type tranchée SiC SCTxxxAW7/SCT3xxxKW7

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Publié le: 2020-10-16 | Mis à jour le: 2024-10-22