ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal N SiC SCT4018KR
Le MOSFET de puissance à canal N SiC SCT4018KR de ROHM Semiconductor est un dispositif robuste optimisé pour la conversion d'énergie haute efficacité pour les applications exigeantes. Avec une tension nominale drain-source de 1 200 V et un courant de drain continu de 81 A (à +25 °C), le ROHM SCT4018KR offre d'excellentes performances dans les environnements haute tension. Le dispositif présente une faible résistance standard à l'état passant de 18 mΩ et prend en charge des vitesses de commutation rapides, ce qui réduit considérablement les pertes de commutation et améliore l'efficacité globale du système. Hébergé dans un boîtier TO-247-4L, le SCT4018KR est bien adapté pour une utilisation dans les alimentations électriques industrielles, les convertisseurs solaires et les entraînements à moteur. Tirant parti des avantages de la technologie SiC, le MOSFET SCT4018KR permet une conductivité thermique supérieure, une exploitation à haute température et une fiabilité améliorée, ce qui le rend idéal pour les systèmes d'alimentation compacts hautes performances.
Caractéristiques
- Faible résistance en état de fonctionnement
- Vitesse de commutation élevée
- Récupération inverse rapide
- Facile à mettre en parallèle
- Facile à piloter
- Boîtier TO-247-4L
- Placage des fils sans plomb
- Conforme à la directive RoHS
Applications
- Convertisseurs solaires
- Convertisseurs CC/CC
- Alimentations électriques en mode commutation
- Chauffage par induction
Caractéristiques techniques
- Tension maximale drain-source de 1 200 V
- Courant continu drain/source maximum
- 81 A à +25 °C
- 57 A à +100 °C
- Courant de drain de tension de grille nulle maximum de 80 μA
- Courant de drain pulsé maximum de 179 A
- Diode corporelle
- Courant direct maximum
- 81 A pulsé
- 179 A en surtension
- Tension directe typique de 3,3 V
- Temps de récupération inverse standard de 12 ns
- Charge de récupération inverse de 252 nC
- Courant de récupération inverse de crête standard de 44 A
- Courant direct maximum
- Plage de tension maximale CC entre la grille et la source de -4 V à 21 V
- Plage de tension de choc maximale entre la grille et la source de -4 V à 23 V
- Tension maximale de commande recommandée entre la grille et la source
- Plage de mise sous tension maximale de 15 V à 18 V
- Arrêt à 0 V
- Courant de fuite grille-source de ±100 nA
- Plage de tension de seuil de la grille de 2,8 V à 4,8 V
- Résistance à l'état passant drain-source
- 23,4 mΩ statique maximum à +25 °C
- 18 mΩ standard
- Résistance d'entrée de la grille standard de 1 Ω
- Résistance thermique jonction à boîtier de 0,48 K/W
- Transconductance de 22 S
- Capacité standard
- Entrée 4 532 pF
- Sortie 129 pF
- Transfert inverse de 9 pF
- Sortie effective de 156 pF, liée à l'énergie
- Grille standard
- Charge totale de 170 nC
- Charge de source de 32 nC
- Charge de drain de 52 nC
- Durée standard
- Délai de mise sous tension de 13 ns
- Montée de 21 ns
- Délai de coupure de 50 ns
- Descente de 11 ns
- Perte de commutation standard
- Allumage 520 μJ
- Éteindre 142 μJ
- Temps de tenue aux courts-circuits standard de 4,0 µs à 4,5 µs
- Température de jonction virtuelle maximale de +175 °C
Circuit intérieur
MOSFET associés
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC à canal N de 4e génération
Fournit de faibles résistances à l'état passant avec des améliorations du temps de tenue aux courts-circuits.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC AEC-Q101
Peuvent être utilisés pour augmenter la fréquence de commutation, réduisant la taille des composants externes.
Publié le: 2025-06-13
| Mis à jour le: 2025-06-19