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ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC à canal N AEC-Q101 SCT4062KWAHR

Le MOSFET de puissance en carbure de silicium (SiC) à canal N AEC-Q101 SCT4062KWAHR de ROHM Semiconductor est un dispositif haute performance, de qualité automobile, destiné à une utilisation dans des environnements automobiles exigeants.  Le SCT4062KWAHR de ROHM dispose d'une tension nominale drain-source élevée de 1 200 V et un courant de drain continu de 24 A (à +25 °C), ce qui rend le MOSFET bien adapté aux systèmes de conversion d'énergie haute tension et haute efficacité. Avec une résistance à l'état passant standard de 62 mΩ, le SCT4062KWAHR minimise les pertes de conduction et permet une commutation rapide, ce qui contribue à réduire les pertes de puissance et à améliorer les performances thermiques. Hébergé dans un format TO-263-7LA, le dispositif offre une excellente dissipation de la chaleur et une intégration aisée dans des modules d'alimentation compacts. Le SCT4062KWAHR est idéal pour les applications de véhicules électriques (VE) telles que les convertisseurs de traction, les chargeurs embarqués et les convertisseurs CC-CC, où la fiabilité, l'efficacité et la stabilité thermique sont essentielles.

Caractéristiques

  • Qualification AEC-Q101
  • Faible résistance à l'état passant
  • Vitesse de commutation élevée
  • Récupération inverse rapide
  • Facile à mettre en parallèle
  • Facile à piloter
  • Boîtier TO-263-7LA
  • Ligne de fuite large de 4,7 mm (minimum)
  • Placage des fils sans plomb
  • Conforme à la directive RoHS

Applications

  • Automobile
  • Alimentations électriques en mode commutateur

Caractéristiques techniques

  • Tension maximale drain-source de 1 200 V
  • Courant continu drain/source maximum
    • 24 A à +25 °C
    • 17 A à +100 °C
  • Courant de drain de tension de grille nulle maximum de 80 μA
  • Courant de drain impulsionnel maximum de 52 A
  • Diode corporelle
    • Courant direct maximum
      • 24 A pulsé
      • Surtension à 52 A
    • Tension directe typique de 3,3 V
    • Temps de récupération inverse standard de 8,1 ns
    • Charge de récupération inverse de 105 nC
    • Courant de récupération inverse de crête standard de 26 A
  • Plage de tension maximale CC entre la grille et la source de -4 V à 21 V
  • Plage de tension de choc maximale entre la grille et la source de -4 V à 23 V
  • Tension maximale de commande recommandée entre la grille et la source
    • Plage de mise sous tension maximale de 15 V à 18 V
    • Arrêt à 0 V
  • Courant de fuite grille-source de ±100 nA
  • Plage de tension de seuil de la grille de 2,8 V à 4,8 V
  • Résistance à l'état passant drain-source statique
    • 81 mΩ maximum à +25 °C
    • 62 mΩ standard
  • Résistance d'entrée de la grille standard de 4 Ω
  • Résistance thermique de la jonction au boîtier de 1,6 K/W
  • Transconductance standard de 6,5 S
  • Capacité standard
    • Entrée 1 498 pF
    • Sortie de 45 pF
    • Transfert inverse de 3 pF
    • Sortie effective de 54 pF, liée à l'énergie
  • Grille standard
    • 64 nC au total
    • 14 nC de charge de source
    • 17 nC de charge de drain
  • Durée standard
    • Délai de mise sous tension de 4,4 ns
    • Augmentation de 11 ns
    • Délai de coupure de 22 ns
    • Décroissance de 10 ns
  • Perte de commutation standard
    • Mise sous tension de 132 μJ
    • 6 μJ d'extinction
  • Température de jonction virtuelle maximale de +175 °C

Circuit intérieur

Circuit de localisation - ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC à canal N AEC-Q101 SCT4062KWAHR

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Publié le: 2025-06-13 | Mis à jour le: 2025-06-19