ROHM Semiconductor MOSFET de puissance UT6J à canal P
Les MOSFET de puissance UT6J à canal P de Semiconductor se caractérisent par une faible résistance à l'état passant et sont logés dans un boîtier de petite taille à haute puissance. Le ROHM offre une large gamme de tensions allant des produits à signal faible aux produits haute tension 800 V. Ils peuvent être utilisés pour diverses applications telles que les alimentations électriques et les circuits d'entraînement moteur.
Caractéristiques
- Faible résistance à l'état passant
- Petit boîtier pour montage en surface
- Placage sans plomb ; conforme à la directive RoHS
- Sans halogène
Applications
- Commutation
Ligne de sortie
Applications sur le marché
Résistance à l'état passant améliorée
Produits associés
ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs
Deliver ultra-fast switching speeds and low on-resistance in a broad range of package types.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P QH8J
Disposent d’une faible résistance à l'état passant et sont logés dans un petit boîtier moulé à haute puissance (TSMT8).
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de classe automobile à canal N
Faible résistance à l’état passant, dissipe la puissance jusqu’à 142 W et est fourni dans de petits boîtiers à haute puissance.
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| Numéro de pièce | Fiche technique | Description | Vds - Tension de rupture drain-source | Id - Courant continu de fuite | Rds On - Résistance drain-source |
|---|---|---|---|---|---|
| UT6K3TCR1 |  |
MOSFET DFN2020 2NCH 30V 5.5A | 30 V | 5.5 A | 42 mOhms |
| UT6J3TCR1 | |
MOSFET DFN2020 2PCH 20V 3A | 20 V | 2 A | 85 mOhms |
| UT6JB5TCR | |
MOSFET DFN2020 2PCH 40V 3.5A | 40 V | 3.5 A | 122 mOhms |
| UT6KE5TCR | |
MOSFET 100V 2.0A Dual Nch+Nch, DFN2020-8D, Power MOSFET | 100 V | 2 A | 207 mOhms |
| UT6JC5TCR | |
MOSFET -60V Dual Pch+Pch, DFN2020, Power MOSFET | 60 V | 2.5 A | 280 mOhms |
Publié le: 2021-01-26
| Mis à jour le: 2023-09-07