STMicroelectronics MOSFET de puissance au carbure de silicium SCTx0N120
Les MOSFET de puissance au carbure de silicium SCTx0N120 STMicroelectronics sont produits à partir de matériaux de pointe et innovants à grande largeur de bande. Ceci entraîne une résistance en fonctionnement par unité de surface inégalée et de très bonnes performances de commutation presque indépendamment de la température. Les propriétés thermiques exceptionnelles du matériau SiC et le boîtier exclusif HiP247™ permettent aux concepteurs d'utiliser un profil au standard industriel avec des capacités thermiques améliorées. Ces caractéristiques rendent les composants parfaitement adaptés aux applications à haut rendement et à haute densité d'alimentation.
Features
- Slight variation of switching losses vs. temperature
- Very high operating temperature capability (200°C)
- Very fast and robust intrinsic body diode
- Low capacitance
- Easy to drive
Applications
- Solar inverters, UPS
- Motor drives
- High voltage DC-DC converters
- Switch mode power supplies
Vidéos
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