STMicroelectronics MOSFET de puissance MDmesh™ V à canal N
Le MOSFET de puissance MDmesh™ V à canal N de STMicroelectronics, une technologie de MOSFET de puissance révolutionnaire, basée sur un processus vertical propriétaire innovant qui est combiné à la célèbre structure à disposition horizontale PowerMESH™ de STMicroelectronics. Le MOSFET de puissance MDmesh™ V à canal N de STMicroelectronics offre une résistance à l'état passant extrêmement faible, qui reste inégalée par les MOSFET de puissance à base de silicium, en faisant un choix idéal pour les applications qui requièrent une densité de puissance supérieure et une efficacité exceptionnelle.
STMicroelectronics MDmesh M5 MOSFETs feature a silicon-based technology that combines an innovative proprietary vertical technology process with STMicroelectronics' PowerMESH horizontal layout. This technology achieves up to 40% better RDS(on) versus the previous MDmesh II technology and establishes a new milestone in the power switch arena.
Caractéristiques
- Outstanding RDS(on) area values
- Fast switching
- High VDSS rating
- High dV/dt capability
- Easy to drive
- 100% avalanche tested
Applications
- SMPS (computers, high-efficiency adapters, and telecom)
- Lighting (electronic ballast, HID)
- Displays (TVs, monitors)
- Solar converters
Related Products
STMicroelectronics Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT
The newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs.
COMPLETE YOUR DESIGN
STMicroelectronics Standard Products
A broad range of drop-in replacements for general-purpose analog ICs, discretes, and serial EEPROMs.
Publié le: 2011-09-15
| Mis à jour le: 2025-10-24