Texas Instruments MOSFET de puissance FemtoFET

Les MOSFET de puissance FemtoFET de Texas Instruments offrent un encombrement ultra-réduit (taille du boîtier 0402) avec une résistance ultra-faible (inférieure de 70 % à la concurrence). Ces MOSFET comportent des caractéristiques de Qg et Qgd ultra faibles et sont dotés d'une ESD optimisée. Ils sont disponibles en boîtier LGA (land grid array). Ce boîtier maximise le contenu de silicium, ce qui les rend idéaux pour les applications à espace restreint. Ces MOSFET de puissance offrent une faible dissipation d'énergie et de faibles pertes de commutation pour de meilleures performances à faible charge. Les applications standard de ces composants sont notamment les applications portables, mobiles, à commutation de charge, à commutation générale et alimentées par batteries.