Texas Instruments Transistors à effet de champ (FET) GaN LMG342xR030

Le LMG342xR030 de Texas Instruments intègre un pilote au silicium qui permet des vitesses de commutation pouvant atteindre 150 V/ns. La polarisation de grille de précision intégrée de TI produit un SOA de commutation plus élevé par rapport aux pilotes de grille en silicium discrets. Cette intégration, combinée au boîtier à faible inductance de TI, fournit une commutation propre et une sonnerie minimale dans les topologies d'alimentation à commutation fixe. La puissance de commande de grille réglable permet de contrôler la vitesse de balayage de 20 V/ns à 150 V/ns, contrôlant activement les EMI et optimisant les performances de commutation. Le LMG3425R030 comprend un mode diode idéale, qui réduit les pertes du troisième quadrant en permettant un contrôle adaptatif du temps mort.

Les caractéristiques avancées de gestion de l'alimentation incluent le signalement numérique de la température et la détection des défaillances. La température du FET GaN est rapportée via une sortie PWM au rapport cyclique variable, ce qui simplifie la gestion du chargement du dispositif. Les défaillances signalées incluent la surveillance des surchauffes, des surintensités et des UVLO.