Toshiba Transistors bipolaires HN1x
Les transistors bipolaires HN1x de Toshiba sont homologués AEC-Q101 et optimisés pour les applications d'amplificateur à basse fréquence. Les transistors bipolaires HN1x disposent d'une haute tension, d'un courant de collecteur élevé et d'une excellente linéarité hFE. Ces composants sont proposés en petit boîtier SOT-363 (US6).
Caractéristiques
- Homologués AEC-Q101
- Petit boîtier (type double)
- Haute tension
- Courant collecteur élevé de 150 mA (max.)
- Plage hFE élevée de 120 à 400
- Excellente linéarité hFE, hFE (IC x= 0,1 mA)/hFE (IC = 2 mA) = 0,95 (std)
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Publié le: 2021-12-01
| Mis à jour le: 2022-03-11