Toshiba MOSFET de puissance TK110N65Z DTMOSVI
Le MOSFET de puissance DTMOSVI TK110N65Z de Toshiba dispose d'une faible résistance drain-source à l'état passant de RDS(ON) = 0,092 Ω (std). Le MOSFET dispose de propriétés de commutation à haute vitesse avec une capacité plus faible et un mode d'amélioration de Vth = 3 à 4 V (VDS = 10 V, ID = 1,02 mA). Il idéal pour les applications d'alimentations de commutation.
Caractéristiques
- Faible résistance drain-source à l'état passant : RDS(ON) = 0,092 Ω (std)
- Propriétés de commutation à haute vitesse avec une capacité plus faible
- Mode d'amélioration : Vth = 3 à 4 V (VDS = 10 V, ID = 1,02 mA)
- Applications, alimentations de commutation
Boîtier et circuit interne
Produits associés
Toshiba DTMOSVI MOSFETs
650V power MOSFET featuring a low drain-source on-resistance of 0.033Ω (typical).
Publié le: 2020-12-10
| Mis à jour le: 2024-11-26