Vishay Semiconductors Diodes Schottky à signal faible BAS40L 40 V
Les diodes Schottky à signal faible BAS40L de Vishay Semiconductors disposent d'une très faible tension de commutation et d'une commutation rapide dans un boîtier DFN1006-2A ultra-compact sans plomb. Un anneau de protection de jonction PN protège la BAS40L contre les tensions excessives, telles que les décharges électrostatiques. Les diodes Schottky à signal faible BAS40L de Vishay fournissent une dissipation d'énergie plus fiable que le SOT-23. Les diodes BAS40L de Vishay sont proposées dans un boîtier plastique pour dispositif monté en surface (CMS) avec flancs plaqués / mouillables sur cloison visible et latérale.
Caractéristiques
- Options homologuées AEC-Q101 disponibles (suffixe HG3)
- Tension de commutation très faible et commutation rapide
- Protection par anneau de garde de jonction PN contre les tensions excessives, telles que les décharges électrostatiques
- Boîtier DFN1006-2A ultra-compact sans plomb (1 mm × 0,6 mm × 0,45 mm)
- Dissipation de puissance supérieure à SOT-23
- Boîtier plastique pour dispositif monté en surface (CMS) avec flancs plaqués sur cloison visible et mouillables
- Le brasage peut être vérifié par une inspection visuelle standard
- Aucune inspection à rayon X nécessaire pour répondre aux exigences de l'AOI automobile
Applications
- Applications automobiles et industrielles
Caractéristiques techniques
- Tension inverse (VR) 40 V
- Courant direct (IF) : 200 mA
- Courant direct non répétitif de 1,7 A à 1 ms (IFSM)
- Courant direct de crête répétitif de 200 mA (IFRM)
- Dissipation de puissance (Ptot)
- 300 mW sur carte FR-4
- 1 250 mW à RthJL = 100 K/W
- Plage de température de fonctionnement : de -55 °C à +150 °C (TOP)
Dimensions du boîtier en millimètres
Additional Resources
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Publié le: 2020-12-14
| Mis à jour le: 2025-01-03