Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

IMZA65R048M1HXKSA1

Name: Infineon IMZA65R048M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMZA65R048M1HXKS
Price: 9.58 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

726-IMZA65R048M1HXKS

N° de fab. :

IMZA65R048M1HXKSA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Cycle de vie:

NRND:

Non recommandé pour de nouvelles conceptions.

Fiche technique:

IMZA65R048M1HXKSA1 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de Infineon Technologies IMZA65R048M1HXKSA1

En stock: 11

Stock:: 11

Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Sur commande:: 240

31/12/2026 attendu
Délai usine :: 52

Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Long délai signalé sur ce produit.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	9,58 €	9,58 €
	6,77 €	67,70 €
	5,64 €	564,00 €
	5,03 €	2 414,40 €

Produit similaire

Fab. :

Infineon Technologies

N° de fab. :

IMZA65R050M2HXKSA1

Description :

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Comparer avec la pièce actuelle

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	39 A
Rds On - Résistance drain-source:	64 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 5 V, + 23 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5.7 V
Qg - Charge de grille:	33 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	125 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	CoolSiC
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Temps de descente:	13 ns
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	12.6 ns
Série:	IMZA65R048
Nombre de pièces de l'usine:	240
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	17 ns
Délai d'activation standard:	14.8 ns
Raccourcis pour l'article N°:	IMZA65R048M1H SP005398433
Poids de l''unité:	6 g

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

IMZA65R048M1HXKSA1 Fiche technique (PDF)

Models

IMZA65R048M1HXKSA1 Symbol & Footprint by SnapMagic

Product Catalogs

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

Codes de conformité

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Autriche
Pays d'origine de l'assemblage:: Chine
Pays de diffusion:: Autriche

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET et diodes CoolSiC™ au carbure de silicium

Les MOSFET et diodes CoolSiC™ au carbure de silicium d'Infineon fournissent une gamme qui répond au besoin d’une production, d’une transmission et d’une consommation d’énergie plus intelligentes et plus efficaces. Le portefeuille CoolSiC répond aux besoins des clients en matière de réduction de la taille et du coût des systèmes de moyenne à haute puissance tout en respectant les normes de qualité les plus élevées, en offrant une longue durée de vie du système et en garantissant la fiabilité. Avec CoolSiC, les clients atteindront les objectifs d’efficacité les plus stricts tout en observant une baisse des coûts des systèmes opérationnels. Le portefeuille se compose de diodes SCHOTTKY CoolSiC, de modules hybrides CoolSiC, de modules MOSFET CoolSiC et de CI pilotes de grille EiceDRIVER™ pour piloter les dispositifs au carbure de silicium.

MOSFET CoolSiC™

Les MOSFET CoolSiC™ d'Infineon s’appuient sur un processus de semi-conducteur à tranchée de pointe, optimisé pour permettre à la fois les pertes les plus faibles de l’application et la plus haute fiabilité en fonctionnement. La gamme de CoolSiC discret en boîtiers TO et CMS est disponible en classes de tensions de 650 V, 1 200 V et 1 700 V, avec une résistance en marche nominale de 27 mΩ à 1 000 mΩ. La technologie de tranchée CoolSiC permet un ensemble de paramètres flexible, qui est utilisé pour la mise en œuvre de caractéristiques spécifiques aux applications dans les portefeuilles de produits respectifs. Ces caractéristiques comprennent des tensions grille-source, des spécifications d’avalanche, une capacité de court-circuit ou une diode de corps interne nominale pour commutation dure.

MOSFET CoolSiC™ 650 V

Les MOSFET CoolSiC ™ 650 V Infineon Technologies combinent la force physique du carbure de silicium avec des caractéristiques d’amplification des performances, de fiabilité et de facilité d’utilisation du composant. Grâce à son procédé de semi-conducteur à tranchée de pointe, le MOSFET CoolSiC™ offre les pertes les plus faibles de l’application et la plus haute fiabilité de fonctionnement. CoolSiC est idéal pour une utilisation dans les applications à haute température et dans les environnements difficiles.

Découvrez la différence de puissance

Infineon est le leader du marché des semi-conducteurs de puissance. Fort de plus de 20 ans d’expérience et en tant qu’innovateur de la technologie révolutionnaire MOSFET à super-jonction CoolMOS™, Infineon continue d’être pionnier dans le domaine de la gestion de l’alimentation. Les clients peuvent choisir en fonction des exigences individuelles de conception/système parmi la plus large gamme de MOSFET SJ à base de silicium du marché. En tant que l’un des rares fabricants maîtrisant les trois principales technologies d’alimentation, Infineon complète cet assortiment avec une offre révolutionnaire à large bande interdite (WBG). Cette offre comprend des MOSFET CoolSiC™ au carbure de silicium, des diodes correspondantes et des HEMT e-mode CoolGaN™ au nitrure de gallium. Diverses solutions sont disponibles, offrant un excellent rapport qualité-prix, une robustesse inégalée, ou encore des appareils parmi les meilleurs de leur catégorie Cela permet aux clients de construire des applications plus efficaces, plus respectueuses de l’environnement et plus durables.

MOSFET de puissance à tranchée CoolSiC™ M1 650 V

Les MOSFET de puissance à tranchée CoolSiC ™ M1 650 V d'Infineon Technologies combinent les caractéristiques physiques solides du carbure de silicium avec des caractéristiques uniques qui augmentent la performance, la robustesse et la facilité d'utilisation du dispositif. Les MOSFET CoolSiC M1 s'appuient sur un processus de semiconducteur à tranchée de pointe optimisé pour fournir les pertes d'application les plus faibles et la fiabilité la plus élevée en fonctionnement. Adaptés aux températures élevées et aux opérations difficiles, ces dispositifs permettent le déploiement simplifié et économique d'un système de la plus haute efficacité.

Systèmes de stockage d'énergie (ESS) résidentiels

Les solutions de stockage d'énergie (ESS) résidentielles Infineon offrent une large variété de produits pour créer et gérer des infrastructures énergétiques résilientes à un coût optimal. Les ESS offrent deux cas d'utilisation principaux. Le premier cas est la création de maisons alimentées par énergie solaire et indépendantes des fournisseurs d'électricité (ESS résidentiel). Le deuxième cas, à une plus grande échelle, est la fourniture d'électricité additionnelle pendant les périodes de forte demande (ESS utilitaire à grand échelle).