SiC MOSFET

SiC MOSFET
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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Qualification
Nom commercial
Infineon Technologies SiC MOSFET SiC MOSFET, 750 V
Fiche technique
361En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 40 A 80 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 142 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SiC MOSFET, 750 V
Fiche technique
443En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 172 A 9 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 169 nC - 55 C + 175 C 483 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
Fiche technique
31En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 86 A 25 mOhms -7 V to + 23 V 4.5 V 59 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
Fiche technique
30En stock
75028/05/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 45 A 50 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
Fiche technique
128En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 64 A 31 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC
IXYS SiC MOSFET 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
Fiche technique
79En stock
45019/05/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 450

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 52 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V
Fiche technique
25En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 60 A 31 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 202 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
114En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 53 A 41.3 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement CoolSiC
APC-E SiC MOSFET 650V 50mR, TO-247-4L, Automotive Grade
Fiche technique
270En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 65 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 45 nC - 55 C + 175 C 198 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
Fiche technique
144En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 42 A 50 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 156 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
80En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 45 A 50 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
Fiche technique
56En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 36 A 65 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC
APC-E SiC MOSFET 1200V 75mR, TO-247-4L, Automotive Grade
Fiche technique
290En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27 A 98 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 40 nC - 55 C + 175 C 151 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
Fiche technique
122En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 50 A 41.3 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
Fiche technique
148En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 29 A 78 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 116 W Enhancement CoolSiC
Central Semiconductor SiC MOSFET 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC
Fiche technique
27En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 26 A 40 mOhms 20 V 2.4 V - 55 C + 175 C 28 W Depletion
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 14MOHM 1200V
Fiche technique
907En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 104 A 20 mOhms - 10 V, + 22 V 4.63 V 337 nC - 55 C + 175 C 454 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET 750V/18MOSICFETG4TO263
Fiche technique
1 168En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 72 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 259 W Enhancement SiC FET

onsemi SiC MOSFET SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM
Fiche technique
2 244En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 900 V 118 A 28 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 196 nC - 55 C + 175 C 484 W Enhancement EliteSiC
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A
Fiche technique
12En stock
60015/02/2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 600

AEC-Q100


Coherent SiC MOSFET 1200V SIC Mosfet 20mOHm 200C Temp TO247-4 AEC-Q101
Fiche technique
139En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 115 A 24.3 mOhms - 20 V, + 20 V 2.8 V 172 nC - 55 C + 200 C 660 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 21mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
Fiche technique
190En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 248 A 35 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 169 nC - 40 C + 175 C 500 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
630En stock
10 000Sur commande
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 20 mOhms Enhancement CoolSiC
onsemi SiC MOSFET 750V/33MOSICFETG4TO263
Fiche technique
486En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 44 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement SiC FET
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 750V 105A N-CH SIC
Fiche technique
625En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 750 V 105 A 16.9 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 312 W Enhancement