SCT019HU120G3AG

STMicroelectronics
511-SCT019HU120G3AG
SCT019HU120G3AG

Fab. :

Description :
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A

Cycle de vie:
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En stock: 12

Stock:
12
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Sur commande:
600
01/02/2027 attendu
Délai usine :
22
Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
19,02 € 19,02 €
14,21 € 142,10 €
10,86 € 1 086,00 €
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10,86 € 6 516,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
STMicroelectronics
Catégorie du produit: SiC MOSFET
RoHS:  
AEC-Q100
Marque: STMicroelectronics
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: JP
Conditionnement: Reel
Conditionnement: Cut Tape
Type de produit: SiC MOSFETS
Nombre de pièces de l'usine: 600
Sous-catégorie: Transistors
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99