EPC2012C

Name: EPC EPC2012C
Brand: EPC
SKU: 65-EPC2012C
Price: 3.41 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

65-EPC2012C

N° de fab. :

EPC2012C

Fab. :

EPC

Description :

FET GaN EPC eGaN FET,200 V, 100 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 0.9

Cycle de vie:

Nouveau chez Mouser

Fiche technique:

EPC2012C Fiche technique (PDF)

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	3,41 €	3,41 €
	2,24 €	22,40 €
	1,57 €	157,00 €
	1,29 €	645,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	1,10 €	2 750,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	EPC
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	LGA-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	200 V
Id - Courant continu de fuite:	5 A
Rds On - Résistance drain-source:	100 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	6 V, - 4 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	1 nC
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	eGaN FET
Marque:	EPC
Configuration:	Single
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Produit:	Power Transistor
Type de produit:	GaN FETs
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type de transistor:	1 N-Channel
Poids de l''unité:	2,800 mg

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290040
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
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EPC2012C

Fab. : EPC

Description : FET GaN EPC eGaN FET,200 V, 100 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 0.9

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