FET GaN

FET GaN
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Résultats: 478
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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Qualification
Nom commercial
Qorvo FET GaN Redesign of QPD1004
Fiche technique
49En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 100

SMD/SMT DFN-8 2 Channel 145 V 3.6 A - 7 V, 2 V - 40 C + 85 C 27.6 W
STMicroelectronics FET GaN 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
Fiche technique
700En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 3 000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 11.5 A 190 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement
Infineon Technologies FET GaN HV GAN DISCRETES
Fiche technique
4 262En stock
1 80016/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 67 A 30 mOhms - 10 V 1.6 V 16 nC - 55 C + 150 C 219 W Enhancement
Qorvo FET GaN 750W, 65V, Pre-matched, 1.2-1.4GHz, Earl 11En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SMD/SMT NI-780 65 V 19 A - 40 C + 85 C 400 W
MACOM FET GaN GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
Fiche technique
301En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Screw Mount 440166 N-Channel 100 V 4.2 A 2.3 V - 40 C + 150 C
MACOM FET GaN GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt
Fiche technique
17En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Screw Mount 440199 N-Channel 2 Channel 120 V 24 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM FET GaN GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt
Fiche technique
124En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 6 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM FET GaN 500W, GaN HEMT, 50V, 2.7-3.1GHz, PULSED,
Fiche technique
20En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Screw Mount 440217 N-Channel 150 V 24 A - 3 V - 40 C + 125 C
MACOM FET GaN GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt
Fiche technique
Commentaire Produit
680En stock
Min. : 10
Mult. : 10

SMD/SMT Die N-Channel 120 V 750 mA 1.6 Ohms - 3 V
Qorvo FET GaN DC-4GHz 15W 28-50V SSG 24dB PAE 72% GaN
Fiche technique
209En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 50 V 700 mA - 2.8 V - 40 C + 85 C 17.5 W
Qorvo FET GaN 1500W, 65V,GaN pre-matched, 442(+/-5) MH
Fiche technique
2En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Qorvo FET GaN DC-1.7 GHz, 500W, 50V, GaN RF Tr
Fiche technique
22En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SMD/SMT NI780-2 N-Channel 145 V 70 A - 40 C + 85 C 714 W
Qorvo FET GaN 450W 50V 1.2-1.4GHz GaN IMFET
Fiche technique
18En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SMD/SMT NI-50CW N-Channel 14 A - 40 C + 85 C 445 W
Qorvo FET GaN DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
Fiche technique
41En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Screw Mount NI-360 N-Channel 50 V 4 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 127 W
Qorvo FET GaN 1-1.1GHz 1800 Watt Gain 22.5dB 65V GaN
Fiche technique
13En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Screw Mount NI-1230-4 HEMT 2 Channel 65 V 28 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 685 W
Qorvo FET GaN 750W, 65V, Pre-matched, 1.2-1.4GHz, Flan 10En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SMD/SMT NI-780 65 V 19 A - 40 C + 85 C 400 W
Qorvo FET GaN DC-2.7 GHz, 150W, 65V GaN RF Tr
Fiche technique
33En stock
10028/09/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 100

MACOM FET GaN GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 10 Watt
Fiche technique
81En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 1.5 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM FET GaN 10W, 6.0GHz, GaN HEMT G28V4 (CG2H40010P)
Fiche technique
246En stock
Min. : 1
Mult. : 1

MACOM FET GaN GaN HEMT VHF-3.0GHz, 30 Watt
Fiche technique
58En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SMD/SMT 440196 N-Channel 120 V 7 A - 3.8 V - 40 C + 150 C 14 W
Qorvo FET GaN Redesign of QPD1011
Fiche technique
70En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 100

SMD/SMT DFN-8 2 Channel 145 V 1.46 A - 7 V, 2 V - 40 C + 85 C 14.7 W
Qorvo FET GaN Redesign of QPD1014
Fiche technique
70En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 100

SMD/SMT DFN-8 2 Channel 145 V 1 A - 8 V, 2 V - 40 C + 85 C 15.8 W
Qorvo FET GaN 1-1.5 GHz, 300W, NI-650
Fiche technique
4En stock
Min. : 1
Mult. : 1
NI-650 33 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 285 W
Infineon Technologies FET GaN LEGACY GAN SYSTEMS
Fiche technique
2 083En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 3 000

SMD/SMT PDFN-6 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 150 mOhms - 10 V, + 7 V 1.5 V 2 nC - 40 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies FET GaN LEGACY GAN SYSTEMS
Fiche technique
2 677En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 250

SMD/SMT PDFN-6 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 150 mOhms - 10 V, + 7 V 1.5 V 2 nC - 40 C + 150 C Enhancement